వార్తలు

SiC మైక్రో పౌడర్ ఎలా తయారు చేయబడింది?
24-05-13న అడ్మిన్ ద్వారా
SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ అనేది 1:1 స్టోయికియోమెట్రిక్ నిష్పత్తిలో Si మరియు C అనే రెండు మూలకాలతో కూడిన గ్రూప్ IV-IV సమ్మేళనం సెమీకండక్టర్ పదార్థం. దీని కాఠిన్యం వజ్రం తర్వాత రెండవది. SiCని సిద్ధం చేయడానికి సిలికాన్ ఆక్సైడ్ పద్ధతి యొక్క కార్బన్ తగ్గింపు ప్రధానంగా క్రింది రసాయన ప్రతిచర్య సూత్రంపై ఆధారపడి ఉంటుంది...
మరింత చదవండి
ఎపిటాక్సియల్ పొరలు సెమీకండక్టర్ పరికరాలకు ఎలా సహాయపడతాయి?
24-05-13న అడ్మిన్ ద్వారా
ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్ అనే పేరు యొక్క మూలం ముందుగా, ఒక చిన్న భావనను ప్రాచుర్యంలోకి తెద్దాం: పొర తయారీలో రెండు ప్రధాన లింక్‌లు ఉన్నాయి: సబ్‌స్ట్రేట్ తయారీ మరియు ఎపిటాక్సియల్ ప్రక్రియ. సబ్‌స్ట్రేట్ అనేది సెమీకండక్టర్ సింగిల్ క్రిస్టల్ మెటీరియల్‌తో తయారు చేయబడిన పొర. సబ్‌స్ట్రేట్ నేరుగా పొర తయారీలోకి ప్రవేశించగలదు...
మరింత చదవండి
రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) థిన్ ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ టెక్నాలజీకి పరిచయం
24-05-06న అడ్మిన్ ద్వారా
రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ (CVD) అనేది ఒక ముఖ్యమైన సన్నని చలనచిత్ర నిక్షేపణ సాంకేతికత, ఇది తరచుగా వివిధ ఫంక్షనల్ ఫిల్మ్‌లు మరియు సన్నని-పొర పదార్థాలను తయారు చేయడానికి ఉపయోగిస్తారు మరియు సెమీకండక్టర్ తయారీ మరియు ఇతర రంగాలలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది. 1. CVD యొక్క పని సూత్రం CVD ప్రక్రియలో, గ్యాస్ పూర్వగామి (ఒకటి లేదా...
మరింత చదవండి
ఫోటోవోల్టాయిక్ సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమ వెనుక ఉన్న "నల్ల బంగారం" రహస్యం: ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్‌పై కోరిక మరియు ఆధారపడటం
24-05-06న అడ్మిన్ ద్వారా
ఫోటోవోల్టాయిక్స్ మరియు సెమీకండక్టర్లలో ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్ చాలా ముఖ్యమైన పదార్థం. దేశీయ ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్ కంపెనీల వేగవంతమైన పెరుగుదలతో, చైనాలో విదేశీ కంపెనీల గుత్తాధిపత్యం విచ్ఛిన్నమైంది. నిరంతర స్వతంత్ర పరిశోధన మరియు అభివృద్ధి మరియు సాంకేతిక పురోగతులతో, ...
మరింత చదవండి
సెమీకండక్టర్ సిరామిక్స్ తయారీలో గ్రాఫైట్ బోట్‌ల యొక్క ముఖ్యమైన లక్షణాలను ఆవిష్కరించడం
24-04-22న అడ్మిన్ ద్వారా
గ్రాఫైట్ బోట్లు, గ్రాఫైట్ బోట్లు అని కూడా పిలుస్తారు, సెమీకండక్టర్ సిరామిక్స్ తయారీలో క్లిష్టమైన ప్రక్రియలలో కీలక పాత్ర పోషిస్తాయి. ఈ ప్రత్యేక నాళాలు అధిక-ఉష్ణోగ్రత చికిత్సల సమయంలో సెమీకండక్టర్ పొరలకు నమ్మకమైన వాహకాలుగా పనిచేస్తాయి, ఖచ్చితమైన మరియు నియంత్రిత ప్రాసెసింగ్‌ను నిర్ధారిస్తాయి. తో...
మరింత చదవండి
ఫర్నేస్ ట్యూబ్ పరికరాల అంతర్గత నిర్మాణం వివరంగా వివరించబడింది
24-04-22న అడ్మిన్ ద్వారా
పైన చూపిన విధంగా, విలక్షణమైనది మొదటి సగం: ▪ హీటింగ్ ఎలిమెంట్ (తాపన కాయిల్) : ఫర్నేస్ ట్యూబ్ చుట్టూ ఉంటుంది, సాధారణంగా రెసిస్టెన్స్ వైర్‌లతో తయారు చేయబడుతుంది, ఫర్నేస్ ట్యూబ్ లోపలి భాగాన్ని వేడి చేయడానికి ఉపయోగిస్తారు. ▪ క్వార్ట్జ్ ట్యూబ్: వేడి ఆక్సీకరణ కొలిమి యొక్క కోర్, అధిక స్వచ్ఛత క్వార్ట్జ్‌తో తయారు చేయబడింది, ఇది h...
మరింత చదవండి
MOSFET పరికర లక్షణాలపై SiC సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు ఎపిటాక్సియల్ మెటీరియల్స్ యొక్క ప్రభావాలు
24-04-16న అడ్మిన్ ద్వారా
త్రిభుజాకార లోపం త్రిభుజాకార లోపాలు SiC ఎపిటాక్సియల్ పొరలలో అత్యంత ప్రాణాంతకమైన పదనిర్మాణ లోపాలు. త్రిభుజాకార లోపాల నిర్మాణం 3C క్రిస్టల్ రూపానికి సంబంధించినదని పెద్ద సంఖ్యలో సాహిత్య నివేదికలు చూపించాయి. అయితే, వివిధ గ్రోత్ మెకానిజమ్స్ కారణంగా, అనేక స్వరూపం...
మరింత చదవండి
SiC సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ పెరుగుదల
24-04-16న అడ్మిన్ ద్వారా
కనుగొనబడినప్పటి నుండి, సిలికాన్ కార్బైడ్ విస్తృత దృష్టిని ఆకర్షించింది. సిలికాన్ కార్బైడ్ సగం Si పరమాణువులు మరియు సగం C పరమాణువులతో కూడి ఉంటుంది, ఇవి sp3 హైబ్రిడ్ కక్ష్యలను పంచుకునే ఎలక్ట్రాన్ జతల ద్వారా సమయోజనీయ బంధాల ద్వారా అనుసంధానించబడి ఉంటాయి. దాని సింగిల్ క్రిస్టల్ యొక్క ప్రాథమిక నిర్మాణ యూనిట్‌లో, నాలుగు Si అణువులు ఒక...
మరింత చదవండి
గ్రాఫైట్ రాడ్ల VET అసాధారణ లక్షణాలు
24-04-08న అడ్మిన్ ద్వారా
గ్రాఫైట్, కార్బన్ యొక్క ఒక రూపం, దాని ప్రత్యేక లక్షణాలు మరియు విస్తృత శ్రేణి అనువర్తనాలకు ప్రసిద్ధి చెందిన ఒక అద్భుతమైన పదార్థం. గ్రాఫైట్ రాడ్‌లు, ప్రత్యేకించి, వాటి అసాధారణమైన లక్షణాలు మరియు బహుముఖ ప్రజ్ఞకు గణనీయమైన గుర్తింపును పొందాయి. వాటి అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత, విద్యుత్ వాహకత...
మరింత చదవండి