SiC பூசப்பட்ட கிராஃபைட் ஹாஃப்மூன் பகுதிis a முக்கியகுறைக்கடத்தி உற்பத்தி செயல்முறைகளில் பயன்படுத்தப்படும் கூறு, குறிப்பாக SiC எபிடாக்சியல் உபகரணங்களுக்கு.நாங்கள் காப்புரிமை பெற்ற தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி அரைநிலவுப் பகுதியை உருவாக்குகிறோம்மிக உயர்ந்த தூய்மை,நல்லதுபூச்சுசீரான தன்மைமற்றும் ஒரு சிறந்த சேவை வாழ்க்கை, அத்துடன்உயர் இரசாயன எதிர்ப்பு மற்றும் வெப்ப நிலைத்தன்மை பண்புகள்.
VET எனர்ஜி திCVD பூச்சுடன் தனிப்பயனாக்கப்பட்ட கிராஃபைட் மற்றும் சிலிக்கான் கார்பைடு தயாரிப்புகளின் உண்மையான உற்பத்தியாளர்,வழங்க முடியும்பல்வேறுகுறைக்கடத்தி மற்றும் ஒளிமின்னழுத்த தொழில்துறைக்கான தனிப்பயனாக்கப்பட்ட பாகங்கள். Oஉங்கள் தொழில்நுட்பக் குழு சிறந்த உள்நாட்டு ஆராய்ச்சி நிறுவனங்களில் இருந்து வருகிறது, மேலும் தொழில்முறை பொருள் தீர்வுகளை வழங்க முடியும்உங்களுக்காக.
மேலும் மேம்பட்ட பொருட்களை வழங்குவதற்காக நாங்கள் தொடர்ந்து மேம்பட்ட செயல்முறைகளை உருவாக்குகிறோம்,மற்றும்ஒரு பிரத்தியேக காப்புரிமை பெற்ற தொழில்நுட்பத்தை உருவாக்கியுள்ளனர், இது பூச்சு மற்றும் அடி மூலக்கூறுக்கு இடையேயான பிணைப்பை இறுக்கமாகவும், பற்றின்மைக்கு குறைவாகவும் செய்யலாம்.
Fஎங்கள் தயாரிப்புகளின் உணவுகள்:
1. 1700 வரை அதிக வெப்பநிலை ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு℃.
2. உயர் தூய்மை மற்றும்வெப்ப சீரான தன்மை
3. சிறந்த அரிப்பு எதிர்ப்பு: அமிலம், காரம், உப்பு மற்றும் கரிம எதிர்வினைகள்.
4. அதிக கடினத்தன்மை, கச்சிதமான மேற்பரப்பு, நுண்ணிய துகள்கள்.
5. நீண்ட சேவை வாழ்க்கை மற்றும் நீடித்தது
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC இன் அடிப்படை இயற்பியல் பண்புகள்பூச்சு | |
| 性质 / சொத்து | 典型数值 / வழக்கமான மதிப்பு |
| 晶体结构 / படிக அமைப்பு | FCC β கட்டம்多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / அடர்த்தி | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / கடினத்தன்மை | 2500 维氏硬度 (500g சுமை) |
| 晶粒大小 / தானிய அளவு | 2~10μm |
| 纯度 / இரசாயன தூய்மை | 99.99995% |
| 热容 / வெப்ப திறன் | 640 ஜே·கிலோ-1·கே-1 |
| 升华温度 / பதங்கமாதல் வெப்பநிலை | 2700℃ |
| 抗弯强度 / நெகிழ்வு வலிமை | 415 MPa RT 4-புள்ளி |
| 杨氏模量 / யங்ஸ் மாடுலஸ் | 430 Gpa 4pt வளைவு, 1300℃ |
| 导热系数 / தெர்மாஎல்கடத்துத்திறன் | 300W·m-1·கே-1 |
| 热膨胀系数 / வெப்ப விரிவாக்கம்(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
எங்கள் தொழிற்சாலையைப் பார்வையிட உங்களை அன்புடன் வரவேற்கிறோம், மேலும் விவாதம் செய்யலாம்!
