சூரிய ஒளிமின்னழுத்த தயாரிப்புகள்

தூய்மை, SEM அமைப்பு, தடிமன் பகுப்பாய்வுSiC பூச்சு

CVD ஐப் பயன்படுத்தி கிராஃபைட்டில் SiC பூச்சுகளின் தூய்மை 99.9995% வரை அதிகமாக உள்ளது. இதன் அமைப்பு fcc ஆகும். கிராஃபைட்டில் பூசப்பட்ட SiC படங்கள் (111) XRD தரவு (Fig.1) இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி அதன் உயர் படிகத் தரத்தைக் குறிக்கும். SiC படத்தின் தடிமன் படம் 2 இல் காட்டப்பட்டுள்ளபடி மிகவும் சீரானது.

படம் 2: SiC படங்களின் தடிமன் சீருடை SEM மற்றும் கிராஃபைட்டில் பீட்டா-SiC படத்தின் XRD

CVD SiC மெல்லிய படத்தின் SEM தரவு, படிக அளவு 2~1 Opm ஆகும்

CVD SiC படத்தின் படிக அமைப்பு முகத்தை மையமாகக் கொண்ட கனசதுர அமைப்பாகும், மேலும் பட வளர்ச்சி நோக்குநிலை 100%க்கு அருகில் உள்ளது.

சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) பூசப்பட்டதுஅடிப்படையானது ஒற்றை கிரிஸ்டல் சிலிக்கான் மற்றும் GaN எபிடாக்ஸிக்கான சிறந்த தளமாகும், இது எபிடாக்ஸி உலையின் முக்கிய அங்கமாகும். பெரிய ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளுக்கு மோனோகிரிஸ்டலின் சிலிக்கானுக்கான முக்கிய உற்பத்தி துணைப் பொருளாக அடிப்படை உள்ளது. இது அதிக தூய்மை, அதிக வெப்பநிலை எதிர்ப்பு, அரிப்பு எதிர்ப்பு, நல்ல காற்று இறுக்கம் மற்றும் பிற சிறந்த பொருள் பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது.

தயாரிப்பு பயன்பாடு மற்றும் பயன்பாடு

ஒற்றை படிக சிலிக்கான் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சிக்கான கிராஃபைட் அடிப்படை பூச்சு, ஐக்ஸ்ட்ரான் இயந்திரங்களுக்கு ஏற்றது, பூச்சு தடிமன்: 90~150umசெதில் பள்ளத்தின் விட்டம் 55 மிமீ ஆகும்.