Habari

Tabia za mold ya grafiti ya silicon carbide
kwa admin mnamo 24-07-18
Silicon Carbide Graphite Mould Silicon CARBIDE grafiti mold ni mold Composite na silicon CARBIDE (SiC) kama msingi na grafiti kama nyenzo ya kuimarisha. Mold hii ina conductivity bora ya mafuta, upinzani wa joto la juu, upinzani wa kutu na kuvaa upya ...
Soma zaidi
Mchakato wa semiconductor mchakato kamili wa upigaji picha
kwa admin mnamo 24-07-16
Utengenezaji wa kila bidhaa ya semiconductor unahitaji mamia ya michakato. Tunagawanya mchakato mzima wa utengenezaji katika hatua nane: usindikaji wa kaki-oxidation-photolithography-etching-thin film deposition-epitaxial growth-diffusion-ion implantation. Ili kukusaidia...
Soma zaidi
bilioni 4! SK Hynix inatangaza uwekezaji wa juu wa ufungaji wa semiconductor katika Hifadhi ya Utafiti ya Purdue
kwa admin mnamo 24-07-09
West Lafayette, Indiana - SK hynix Inc. ilitangaza mipango ya kuwekeza karibu dola bilioni 4 ili kujenga utengenezaji wa vifungashio vya hali ya juu na kituo cha R&D kwa bidhaa za kijasusi bandia katika Hifadhi ya Utafiti ya Purdue. Kuanzisha kiunga muhimu katika mnyororo wa usambazaji wa semiconductor wa Amerika huko West Lafayett...
Soma zaidi
Teknolojia ya laser inaongoza mabadiliko ya teknolojia ya usindikaji wa substrate ya silicon
kwa admin mnamo 24-07-08
1. Muhtasari wa teknolojia ya usindikaji wa substrate ya silicon carbide Hatua za sasa za usindikaji wa substrate ya silicon carbudi ni pamoja na: kusaga duara la nje, kukata, kupiga, kusaga, polishing, kusafisha, nk.
Soma zaidi
Nyenzo kuu za uga wa joto: Nyenzo zenye mchanganyiko wa C/C
kwa admin mnamo 24-07-01
Mchanganyiko wa kaboni-kaboni ni aina ya composites ya nyuzi za kaboni, na nyuzi za kaboni kama nyenzo ya kuimarisha na kaboni iliyowekwa kama nyenzo ya tumbo. Matrix ya mchanganyiko wa C/C ni kaboni. Kwa kuwa ina karibu kabisa na kaboni ya asili, ina sugu bora ya joto la juu ...
Soma zaidi
Mbinu tatu kuu za ukuaji wa fuwele za SiC
kwa admin mnamo 24-07-01
Kama inavyoonyeshwa kwenye Mchoro wa 3, kuna mbinu tatu kuu zinazolenga kutoa fuwele moja ya SiC yenye ubora wa juu na ufanisi: epitaksi ya awamu ya kioevu (LPE), usafiri wa mvuke halisi (PVT), na uwekaji wa mvuke wa kemikali wa joto la juu (HTCVD). PVT ni mchakato ulioanzishwa vyema wa kutengeneza dhambi ya SiC...
Soma zaidi
Semiconductor ya kizazi cha tatu GaN na utangulizi mfupi unaohusiana wa teknolojia ya epitaxial
kwa admin mnamo 24-06-28
1. Semiconductor za kizazi cha tatu Teknolojia ya kizazi cha kwanza ya semicondukta ilitengenezwa kwa kuzingatia nyenzo za semicondukta kama vile Si na Ge. Ni msingi wa nyenzo kwa ajili ya maendeleo ya transistors na teknolojia jumuishi ya mzunguko. Nyenzo za semiconductor za kizazi cha kwanza ziliweka f...
Soma zaidi
bilioni 23.5, nyati mkuu wa Suzhou ataenda kwa IPO
kwa admin mnamo 24-06-28
Baada ya miaka 9 ya ujasiriamali, Innoscience imekusanya zaidi ya yuan bilioni 6 katika jumla ya ufadhili, na hesabu yake imefikia yuan bilioni 23.5 ya kushangaza. Orodha ya wawekezaji ni ndefu kama makampuni kadhaa: Fukun Venture Capital, Dongfang Assets inayomilikiwa na Serikali, Suzhou Zhanyi, Wujian...
Soma zaidi
Je, bidhaa za CARBIDE ya tantalum huongeza vipi upinzani wa kutu wa vifaa?
kwa admin mnamo 24-06-25
Mipako ya CARBIDE ya Tantalum ni teknolojia ya kawaida ya matibabu ya uso ambayo inaweza kuboresha kwa kiasi kikubwa upinzani wa kutu wa nyenzo. Mipako ya CARBIDE ya Tantalum inaweza kuunganishwa kwenye uso wa substrate kupitia mbinu tofauti za utayarishaji, kama vile uwekaji wa mvuke wa kemikali, fizikia...
Soma zaidi