Den monokristallina 8-tums silikonskivan från VET Energy är en branschledande lösning för tillverkning av halvledare och elektroniska enheter. Dessa wafers erbjuder överlägsen renhet och kristallin struktur och är idealiska för högpresterande applikationer i både solcells- och halvledarindustrin. VET Energy säkerställer att varje wafer är noggrant bearbetad för att möta de högsta standarderna, vilket ger utmärkt enhetlighet och slät ytfinish, vilket är avgörande för avancerad produktion av elektroniska enheter.
Dessa monokristallina 8-tums kiselskivor är kompatibla med en rad olika material, inklusive Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, och är särskilt lämpade för Epi Wafer-tillväxt. Deras överlägsna värmeledningsförmåga och elektriska egenskaper gör dem till ett pålitligt val för högeffektiv tillverkning. Dessutom är dessa wafers designade för att fungera sömlöst med material som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer, och erbjuder ett brett utbud av applikationer från kraftelektronik till RF-enheter. Skivorna passar också perfekt in i kassettsystem för automatiserade produktionsmiljöer med stora volymer.
VET Energys produktlinje är inte begränsad till silikonwafers. Vi tillhandahåller också ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., såväl som nya bredbandgap halvledarmaterial som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer. Dessa produkter kan möta applikationsbehoven hos olika kunder inom kraftelektronik, radiofrekvens, sensorer och andra områden.
VET Energy förser kunder med skräddarsydda waferlösningar. Vi kan skräddarsy wafers med olika resistivitet, syrehalt, tjocklek etc. efter kundernas specifika behov. Dessutom tillhandahåller vi också professionell teknisk support och eftermarknadsservice för att hjälpa kunder att lösa olika problem som uppstår under produktionsprocessen.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut värde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasning |
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Ytfinish | Dubbelsidig Optisk Polish, Si- Face CMP | ||||
Ytråhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillåten (längd och bredd≥0,5 mm) | ||||
Indrag | Ingen tillåten | ||||
Repor (Si-Face) | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | ||
Sprickor | Ingen tillåten | ||||
Kantexkludering | 3 mm |