VET Energy 12-tums SOI wafer är ett högpresterande halvledarsubstratmaterial, som är mycket gynnat för sina utmärkta elektriska egenskaper och unika struktur. VET Energy använder avancerade SOI-wafertillverkningsprocesser för att säkerställa att wafern har extremt låg läckström, hög hastighet och strålningsmotstånd, vilket ger en solid grund för dina högpresterande integrerade kretsar.
VET Energys produktlinje är inte begränsad till SOI-wafers. Vi tillhandahåller också ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., såväl som nya halvledarmaterial med breda bandgap som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer. Dessa produkter kan möta applikationsbehoven hos olika kunder inom kraftelektronik, RF, sensorer och andra områden.
Med fokus på excellens använder våra SOI-wafers även avancerade material som galliumoxid Ga2O3, kassetter och AlN-wafers för att säkerställa tillförlitlighet och effektivitet på alla operativa nivåer. Lita på att VET Energy tillhandahåller banbrytande lösningar som banar väg för tekniska framsteg.
Släpp loss potentialen i ditt projekt med den överlägsna prestandan hos VET Energy 12-tums SOI-wafers. Öka dina innovationsförmåga med wafers som förkroppsligar kvalitet, precision och innovation, som lägger grunden för framgång inom det dynamiska området för halvledarteknologi. Välj VET Energy för premium SOI wafer-lösningar som överträffar förväntningarna.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut värde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasning |
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Ytfinish | Dubbelsidig Optisk Polish, Si- Face CMP | ||||
Ytråhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillåten (längd och bredd≥0,5 mm) | ||||
Indrag | Ingen tillåten | ||||
Repor (Si-Face) | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | ||
Sprickor | Ingen tillåten | ||||
Kantexkludering | 3 mm |