silikon carbide crucible pikeun tuang beusi crucible silikon carbide

Silikon karbida tanpa tekanan (SSIC)dihasilkeun ngagunakeun bubuk SiC pohara rupa ngandung aditif sintering. Ieu diolah ngagunakeun métode ngabentuk has pikeun keramik sejen tur sintered dina 2.000 nepi ka 2.200 ° C dina atmosfir gas inert. Kitu ogé versi fine-grained, kalayan ukuran sisikian <5 um, versi kasar-grained kalawan ukuran sisikian nepi ka 1,5 mm sadia.

SSIC dibédakeun ku kakuatan tinggi anu tetep ampir konstan nepi ka suhu anu kacida luhurna (kira-kira 1.600 ° C), ngajaga kakuatan éta dina période anu panjang!

Keunggulan produk:

Résistansi oksidasi suhu luhur

résistansi korosi alus teuing

Alus lalawanan abrasion

Koéfisién luhur konduktivitas panas
Self-lubricity, dénsitas low
Karasa luhur
Desain ngaropéa.

Sipat téknis: