gallium arsenide-phosphide epitaxial

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Gallium arsenide-phosphide epitaxial structures, e tutusa ma fausaga gaosia o le substrate ASP type (ET0.032.512TU), mo le. gaosiga o tioata lanumumu lanumumu planar.

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Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Gallium arsenide-phosphide epitaxial structures, e tutusa ma fausaga gaosia o le substrate ASP type (ET0.032.512TU), mo le. gaosiga o tioata lanumumu lanumumu planar.

Fa'ailoga fa'apitoa fa'apitoa
i fausaga gallium arsenide-phosphide

1, SubstrateGaAs
a. Tulaga amio	faaeletonika
e. Resistivity, ohm-cm	0,008
i. Crystal-latticeorientation	(100)
o. Fa'asa'oga sese i luga	(1−3)°

2. Epitaxial layer GaAs1-х Pх
a. Tulaga amio	faaeletonika
e. O lo'o iai le phosphorus i totonu o le fa'asologa o suiga	mai le х = 0 i le х ≈ 0,4
i. O lo'o i totonu o le phosphorus i totonu o se vaega o le tu'ufa'atasiga faifai pea	х ≈ 0,4
o. Fa'atonuga o le avefe'au, сm3	(0,2−3,0)·1017
u. Umi ole galu ile maualuga ole fusi ole photoluminescence, nm	645−673 nm
f. Ole umi ole galu ile maualuga ole alaleo ole electroluminescence	650−675 nm
g. O le mafiafia o le laulau tumau, micron	Le itiiti ifo i le 8 nm
h. Layerthickness (total), micron	Le itiiti ifo 30 nm

3 Papatusi ma le epitaxial layer
a. Deflection, micron	E sili atu ile 100 um
e. Mafiafia, micron	360−600 um
i. Squarecentimeter	Le itiiti ifo i le 6 cm2
o. Malosi'i fa'amalamalama fa'apitoa (ina ua uma le fa'asalalaugaZn), cd/amp	Le itiiti ifo 0,05 cd/amp