Novice

Običajno uporabljeni podstavki za epitaksijo v parni fazi
avtor admin dne 24-07-30
Med postopkom epitaksije v parni fazi (VPE) je vloga podstavka podpirati substrat in zagotavljati enakomerno segrevanje med procesom rasti. Različni tipi podstavkov so primerni za različne pogoje rasti in materialne sisteme. Sledi nekaj...
Preberi več
Kako podaljšati življenjsko dobo izdelkov, prevlečenih s tantalovim karbidom?
avtor admin dne 24.7.26
Izdelki s prevleko iz tantalovega karbida so pogosto uporabljen visokotemperaturni material, za katerega je značilna visoka temperaturna odpornost, odpornost proti koroziji, odpornost proti obrabi itd. Zato se pogosto uporabljajo v panogah, kot so vesoljska, kemična in energetska. Da bi ex...
Preberi več
Kakšna je razlika med PECVD in LPCVD v polprevodniški opremi CVD?
avtor admin dne 24-07-24
Kemično naparjevanje (CVD) se nanaša na postopek nanašanja trdnega filma na površino silicijeve rezine s kemično reakcijo mešanice plinov. Glede na različne reakcijske pogoje (tlak, prekurzor) ga lahko razdelimo na različne opreme ...
Preberi več
Značilnosti grafitnega kalupa iz silicijevega karbida
avtor admin dne 24-07-18
Grafitni kalup iz silicijevega karbida Grafitni kalup iz silicijevega karbida je kompozitni kalup s silicijevim karbidom (SiC) kot osnovo in grafitom kot ojačitvenim materialom. Ta kalup ima odlično toplotno prevodnost, odpornost na visoke temperature, odpornost proti koroziji in ...
Preberi več
Polprevodniški postopek Celoten postopek fotolitografije
avtor admin dne 24-07-16
Proizvodnja vsakega polprevodniškega izdelka zahteva na stotine procesov. Celoten proizvodni proces razdelimo na osem korakov: obdelava rezin-oksidacija-fotolitografija-jedkanje-nanašanje tankega filma-epitaksialna rast-difuzija-ionska implantacija. Da vam pomagam ...
Preberi več
4 milijarde! SK Hynix napoveduje naložbo v napredno embalažo polprevodnikov v raziskovalnem parku Purdue
avtor admin dne 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. je objavila načrte za vlaganje skoraj 4 milijard dolarjev v izgradnjo naprednega obrata za proizvodnjo embalaže in raziskave in razvoj izdelkov umetne inteligence v raziskovalnem parku Purdue. Vzpostavitev ključne povezave v ameriški dobavni verigi polprevodnikov v West Lafayettu ...
Preberi več
Laserska tehnologija vodi preoblikovanje tehnologije obdelave substrata iz silicijevega karbida
avtor admin dne 24-07-08
1. Pregled tehnologije obdelave substrata iz silicijevega karbida Trenutni koraki obdelave substrata iz silicijevega karbida vključujejo: brušenje zunanjega kroga, rezanje, posnemanje robov, brušenje, poliranje, čiščenje itd. Rezanje je pomemben korak pri pripravi polprevodniških substratov...
Preberi več
Glavni materiali toplotnega polja: C/C kompozitni materiali
avtor admin dne 24-07-01
Kompoziti ogljik-ogljik so vrsta kompozitov iz ogljikovih vlaken, z ogljikovimi vlakni kot ojačitvenim materialom in deponiranim ogljikom kot matričnim materialom. Matrica C/C kompozitov je ogljik. Ker je skoraj v celoti sestavljen iz elementarnega ogljika, je odlično odporen na visoke temperature...
Preberi več
Tri glavne tehnike za rast kristalov SiC
avtor admin dne 24-07-01
Kot je prikazano na sliki 3, obstajajo tri prevladujoče tehnike, katerih namen je zagotoviti monokristal SiC z visoko kakovostjo in učinkovitostjo: tekočefazna epitaksija (LPE), fizični prenos hlapov (PVT) in visokotemperaturno kemično naparjanje (HTCVD). PVT je dobro uveljavljen postopek za proizvodnjo SiC sin...
Preberi več