මුලින්ම අපි දැනගත යුතුයිPECVD(ප්ලාස්මා වැඩි දියුණු කරන ලද රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම). ප්ලාස්මා යනු ද්‍රව්‍ය අණු වල තාප චලිතය තීව්‍ර කිරීමයි. ඒවා අතර ගැටීම නිසා වායු අණු අයනීකරණය වන අතර ද්‍රව්‍යය නිදහසේ චලනය වන ධනාත්මක අයන, ඉලෙක්ට්‍රෝන සහ එකිනෙකා සමඟ අන්තර් ක්රියා කරන උදාසීන අංශු මිශ්‍රණයක් බවට පත්වේ.
සිලිකන් පෘෂ්ඨයේ ආලෝකයේ පරාවර්තන පාඩු අනුපාතය 35% ක් තරම් ඉහළ අගයක් ගන්නා බව ගණන් බලා ඇත. ප්‍රති-ප්‍රති-ප්‍රතිබිම්බ පටලයට බැටරි සෛලය මගින් සූර්ය ආලෝකයේ උපයෝගිතා අනුපාතය බෙහෙවින් වැඩි දියුණු කළ හැකි අතර, එය ඡායාරූපගත ධාරා ඝනත්වය වැඩි කිරීමට සහ පරිවර්තන කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කිරීමට උපකාරී වේ. ඒ අතරම, චිත්රපටයේ ඇති හයිඩ්‍රජන් බැටරි සෛලයේ මතුපිට අක්‍රිය කරයි, විමෝචක හන්දියේ මතුපිට ප්‍රතිසංයෝජන අනුපාතය අඩු කරයි, අඳුරු ධාරාව අඩු කරයි, විවෘත පරිපථ වෝල්ටීයතාව වැඩි කරයි, සහ ප්‍රකාශ විද්‍යුත් පරිවර්තන කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කරයි. පිළිස්සුම් ක්‍රියාවලියේදී ඉහළ-උෂ්ණත්ව ක්‍ෂණික නිර්වින්දනය සමහර Si-H සහ NH බන්ධන බිඳ දමයි, සහ නිදහස් කරන ලද H බැටරියේ අක්‍රියතාවය තවදුරටත් ශක්තිමත් කරයි.
ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා ශ්‍රේණියේ සිලිකන් ද්‍රව්‍යවල අනිවාර්යයෙන්ම අපද්‍රව්‍ය සහ දෝෂ විශාල ප්‍රමාණයක් අඩංගු වන බැවින්, සුළුතර වාහක ආයු කාලය සහ සිලිකන් වල විසරණ දිග අඩු වන අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස බැටරියේ පරිවර්තන කාර්යක්ෂමතාව අඩු වේ. H හට සිලිකන් වල දෝෂ හෝ අපද්‍රව්‍ය සමඟ ප්රතික්රියා කළ හැකි අතර එමඟින් කලාප පරතරයේ ඇති ශක්ති කලාපය සංයුජතා කලාපයට හෝ සන්නායක කලාපයට මාරු කරයි.
1. PECVD මූලධර්මය
PECVD පද්ධතිය යනු භාවිතා කරන ජනක යන්ත්‍ර මාලාවකිPECVD මිනිරන් බෝට්ටුව සහ අධි-සංඛ්‍යාත ප්ලාස්මා උත්තේජක. ප්ලාස්මා උත්පාදක යන්ත්රය අඩු පීඩනය සහ ඉහළ උෂ්ණත්වය යටතේ ප්රතික්රියා කිරීම සඳහා ආලේපන තහඩුව මධ්යයේ සෘජුවම ස්ථාපනය කර ඇත. භාවිතා කරන ක්‍රියාකාරී වායු වන්නේ silane SiH4 සහ ඇමෝනියා NH3 ය. මෙම වායූන් සිලිකන් වේෆරයේ ගබඩා කර ඇති සිලිකන් නයිට්රයිඩය මත ක්රියා කරයි. සිලේන් සහ ඇමෝනියා අනුපාතය වෙනස් කිරීමෙන් විවිධ වර්තන දර්ශක ලබා ගත හැකිය. තැන්පත් කිරීමේ ක්‍රියාවලියේදී, හයිඩ්‍රජන් පරමාණු සහ හයිඩ්‍රජන් අයන විශාල ප්‍රමාණයක් ජනනය වන අතර, වේෆරයේ හයිඩ්‍රජන් අක්‍රිය වීම ඉතා යහපත් වේ. රික්තකයක් සහ සෙල්සියස් අංශක 480 ක පරිසර උෂ්ණත්වයකදී, සිලිකන් වේෆරයේ මතුපිට SixNy තට්ටුවක් ආෙල්පනය කර ඇත.PECVD මිනිරන් බෝට්ටුව.
3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2
2. Si3N4
Si3N4 චිත්රපටයේ වර්ණය එහි ඝනකම සමඟ වෙනස් වේ. සාමාන්යයෙන්, පරමාදර්ශී ඝනකම 75 සහ 80 nm අතර වන අතර එය තද නිල් පැහැයෙන් දිස්වේ. Si3N4 පටලයේ වර්තන දර්ශකය 2.0 සහ 2.5 අතර හොඳම වේ. සාමාන්යයෙන් මත්පැන් එහි වර්තන දර්ශකය මැනීමට භාවිතා කරයි.
විශිෂ්ට පෘෂ්ඨ නිෂ්ක්‍රීය ආචරණය, කාර්යක්ෂම දෘෂ්‍ය ප්‍රති-ප්‍රති-ප්‍රති-ප්‍රති-ප්‍රති-ප්‍රති-ප්‍රති-පිළිබිඹු ක්‍රියාකාරිත්වය (ඝනකම වර්තන දර්ශක ගැලපීම), අඩු උෂ්ණත්ව ක්‍රියාවලිය (ඵලදායී ලෙස පිරිවැය අඩු කිරීම) සහ ජනනය කරන ලද H අයන සිලිකන් වේෆර් මතුපිට අක්‍රිය කරයි.
3. ආලේපන වැඩමුළුවේ පොදු කරුණු
චිත්රපට ඝණකම:
විවිධ පටල ඝනකම සඳහා තැන්පත් වීමේ කාලය වෙනස් වේ. ආලේපනයේ වර්ණය අනුව තැන්පත් කිරීමේ කාලය නිසි ලෙස වැඩි කිරීම හෝ අඩු කිරීම කළ යුතුය. චිත්රපටය සුදු පැහැයක් ගනී නම්, තැන්පත් කිරීමේ කාලය අඩු කළ යුතුය. එය රතු පාට නම්, එය සුදුසු ලෙස වැඩි කළ යුතුය. චිත්රපටවල සෑම බෝට්ටුවක්ම සම්පූර්ණයෙන්ම තහවුරු කළ යුතු අතර, දෝෂ සහිත නිෂ්පාදන ඊළඟ ක්රියාවලියට ගලා යාමට ඉඩ නොදේ. නිදසුනක් ලෙස, වර්ණ ලප සහ ජල සලකුණු වැනි ආලේපනය දුර්වල නම්, වඩාත් සුලභ මතුපිට සුදු කිරීම, වර්ණ වෙනස සහ නිෂ්පාදන රේඛාවේ සුදු ලප නියමිත වේලාවට තෝරා ගත යුතුය. මතුපිට සුදු වීම ප්රධාන වශයෙන් සිදු වන්නේ ඝන සිලිකන් නයිට්‍රයිඩ් පටලය මගිනි, එය චිත්රපට තැන්පත් වීමේ කාලය සකස් කිරීමෙන් සකස් කළ හැක; වර්ණ වෙනස චිත්රපටය ප්රධාන වශයෙන් ගෑස් මාර්ගය අවහිර වීම, ක්වාර්ට්ස් නල කාන්දු වීම, මයික්රෝවේව් අසමත් වීම, ආදිය; සුදු ලප ප්රධාන වශයෙන් ඇති වන්නේ පෙර ක්‍රියාවලියේදී කුඩා කළු ලප මගිනි. පරාවර්තකත්වය, වර්තන දර්ශකය, ආදිය නිරීක්ෂණය කිරීම, විශේෂ වායු වල ආරක්ෂාව, ආදිය.
මතුපිට සුදු ලප:
PECVD යනු සූර්ය කෝෂ වල සාපේක්ෂ වශයෙන් වැදගත් ක්‍රියාවලියක් වන අතර සමාගමක සූර්ය කෝෂ වල කාර්යක්ෂමතාව පිළිබඳ වැදගත් දර්ශකයකි. PECVD ක්‍රියාවලිය සාමාන්යයෙන් කාර්යබහුල වන අතර, එක් එක් සෛල කාණ්ඩ නිරීක්ෂණය කිරීම අවශ්‍ය වේ. බොහෝ ආලේපන උදුන නල ඇති අතර, සෑම නලයක්ම සාමාන්යයෙන් සෛල සිය ගණනක් (උපකරණ මත පදනම්ව) ඇත. ක්රියාවලි පරාමිතීන් වෙනස් කිරීමෙන් පසුව, සත්යාපන චක්රය දිගු වේ. ආලේපන තාක්ෂණය යනු සමස්ත ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා කර්මාන්තයට විශාල වැදගත්කමක් ලබා දෙන තාක්‍ෂණයකි. ආලේපන තාක්ෂණය වැඩිදියුණු කිරීමෙන් සූර්ය කෝෂවල කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කළ හැකිය. අනාගතයේදී, සූර්ය කෝෂ මතුපිට තාක්ෂණය සූර්ය කෝෂවල න්‍යායාත්මක කාර්යක්ෂමතාවයේ ඉදිරි ගමනක් බවට පත්විය හැකිය.
පසු කාලය: දෙසැම්බර්-23-2024