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4 bilhões! SK Hynix anuncia investimento em embalagens avançadas de semicondutores no Purdue Research Park
West Lafayette, Indiana – A SK hynix Inc. anunciou planos de investir quase US$ 4 bilhões para construir uma instalação avançada de fabricação de embalagens e P&D para produtos de inteligência artificial no Purdue Research Park. Estabelecendo um elo fundamental na cadeia de fornecimento de semicondutores dos EUA em West Lafayett...Leia mais -
A tecnologia laser lidera a transformação da tecnologia de processamento de substrato de carboneto de silício
1. Visão geral da tecnologia de processamento de substrato de carboneto de silício As etapas atuais de processamento de substrato de carboneto de silício incluem: retificação do círculo externo, fatiamento, chanfro, retificação, polimento, limpeza, etc.Leia mais -
Materiais convencionais de campo térmico: materiais compostos C/C
Os compósitos carbono-carbono são um tipo de compósitos de fibra de carbono, com fibra de carbono como material de reforço e carbono depositado como material de matriz. A matriz dos compósitos C/C é o carbono. Por ser quase inteiramente composto de carbono elementar, possui excelente resistência a altas temperaturas.Leia mais -
Três técnicas principais para o crescimento de cristais de SiC
3, existem três técnicas dominantes que visam fornecer cristal único de SiC com alta qualidade e eficiência: epitaxia em fase líquida (LPE), transporte físico de vapor (PVT) e deposição química de vapor em alta temperatura (HTCVD). PVT é um processo bem estabelecido para a produção de sin...Leia mais -
GaN semicondutor de terceira geração e breve introdução à tecnologia epitaxial relacionada
1. Semicondutores de terceira geração A tecnologia de semicondutores de primeira geração foi desenvolvida com base em materiais semicondutores como Si e Ge. É a base material para o desenvolvimento de transistores e tecnologia de circuitos integrados. Os materiais semicondutores de primeira geração lançaram as bases...Leia mais -
23,5 bilhões, o super unicórnio de Suzhou vai para IPO
Após 9 anos de empreendedorismo, a Innoscience arrecadou mais de 6 bilhões de yuans em financiamento total e sua avaliação atingiu surpreendentes 23,5 bilhões de yuans. A lista de investidores é tão longa quanto dezenas de empresas: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leia mais -
Como os produtos revestidos com carboneto de tântalo aumentam a resistência à corrosão dos materiais?
O revestimento de carboneto de tântalo é uma tecnologia de tratamento de superfície comumente usada que pode melhorar significativamente a resistência à corrosão dos materiais. O revestimento de carboneto de tântalo pode ser fixado à superfície do substrato através de diferentes métodos de preparação, como deposição química de vapor,...Leia mais -
Introdução ao semicondutor GaN de terceira geração e tecnologia epitaxial relacionada
1. Semicondutores de terceira geração A tecnologia de semicondutores de primeira geração foi desenvolvida com base em materiais semicondutores como Si e Ge. É a base material para o desenvolvimento de transistores e tecnologia de circuitos integrados. Os materiais semicondutores de primeira geração lançaram as bases...Leia mais -
Estudo de simulação numérica sobre o efeito da grafite porosa no crescimento de cristais de carboneto de silício
O processo básico de crescimento do cristal de SiC é dividido em sublimação e decomposição de matérias-primas em alta temperatura, transporte de substâncias em fase gasosa sob a ação do gradiente de temperatura e crescimento de recristalização de substâncias em fase gasosa no cristal semente. Com base nisso, o...Leia mais
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