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GaN semicondutor de terceira geração e breve introdução à tecnologia epitaxial relacionada
1. Semicondutores de terceira geração A tecnologia de semicondutores de primeira geração foi desenvolvida com base em materiais semicondutores como Si e Ge. É a base material para o desenvolvimento de transistores e tecnologia de circuitos integrados. Os materiais semicondutores de primeira geração lançaram as bases...Leia mais -
23,5 bilhões, o super unicórnio de Suzhou vai para IPO
Após 9 anos de empreendedorismo, a Innoscience arrecadou mais de 6 bilhões de yuans em financiamento total e sua avaliação atingiu surpreendentes 23,5 bilhões de yuans. A lista de investidores chega a dezenas de empresas: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leia mais -
Como os produtos revestidos com carboneto de tântalo aumentam a resistência à corrosão dos materiais?
O revestimento de carboneto de tântalo é uma tecnologia de tratamento de superfície comumente usada que pode melhorar significativamente a resistência à corrosão dos materiais. O revestimento de carboneto de tântalo pode ser fixado à superfície do substrato através de diferentes métodos de preparação, como deposição química de vapor,...Leia mais -
Introdução ao semicondutor GaN de terceira geração e tecnologia epitaxial relacionada
1. Semicondutores de terceira geração A tecnologia de semicondutores de primeira geração foi desenvolvida com base em materiais semicondutores como Si e Ge. É a base material para o desenvolvimento de transistores e tecnologia de circuitos integrados. Os materiais semicondutores de primeira geração lançaram as bases...Leia mais -
Estudo de simulação numérica sobre o efeito da grafite porosa no crescimento de cristais de carboneto de silício
O processo básico de crescimento do cristal de SiC é dividido em sublimação e decomposição de matérias-primas em alta temperatura, transporte de substâncias em fase gasosa sob a ação do gradiente de temperatura e crescimento de recristalização de substâncias em fase gasosa no cristal semente. Com base nisso, o...Leia mais -
Tipos de Grafite Especial
A grafite especial é um material de grafite de alta pureza, alta densidade e alta resistência e possui excelente resistência à corrosão, estabilidade em altas temperaturas e excelente condutividade elétrica. É feito de grafite natural ou artificial após tratamento térmico de alta temperatura e processamento de alta pressão...Leia mais -
Análise de equipamentos de deposição de filmes finos – os princípios e aplicações dos equipamentos PECVD/LPCVD/ALD
A deposição de filme fino consiste em revestir uma camada de filme no material do substrato principal do semicondutor. Este filme pode ser feito de diversos materiais, como composto isolante de dióxido de silício, polissilício semicondutor, cobre metálico, etc. O equipamento utilizado para revestimento é denominado deposição de filme fino...Leia mais -
Materiais importantes que determinam a qualidade do crescimento do silício monocristalino – campo térmico
O processo de crescimento do silício monocristalino é totalmente realizado no campo térmico. Um bom campo térmico contribui para melhorar a qualidade dos cristais e possui maior eficiência de cristalização. O desenho do campo térmico determina em grande parte as mudanças nos gradientes de temperatura...Leia mais -
Quais são as dificuldades técnicas do forno de crescimento de cristais de carboneto de silício?
O forno de crescimento de cristais é o equipamento principal para o crescimento de cristais de carboneto de silício. É semelhante ao tradicional forno de crescimento de cristal de grau de silício cristalino. A estrutura do forno não é muito complicada. É composto principalmente de corpo de forno, sistema de aquecimento, mecanismo de transmissão de bobina...Leia mais
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