Deposição química de vapor (DCV) refere-se ao processo de deposição de um filme sólido na superfície de um silíciobolachaatravés de uma reação química de uma mistura gasosa. De acordo com as diferentes condições de reação (pressão, precursor), pode ser dividido em diversos modelos de equipamentos.
Para quais processos esses dois dispositivos são usados?
PECVDO equipamento (Plasma Enhanced) é o mais numeroso e mais comumente utilizado, utilizado em OX, Nitreto, metal gate, carbono amorfo, etc.; LPCVD (Low Power) é geralmente usado em nitreto, poli, TEOS.
Qual é o princípio?
PECVD – um processo que combina perfeitamente energia plasmática e CVD. A tecnologia PECVD utiliza plasma de baixa temperatura para induzir descarga luminosa no cátodo da câmara de processo (ou seja, bandeja de amostras) sob baixa pressão. Esta descarga luminosa ou outro dispositivo de aquecimento pode elevar a temperatura da amostra a um nível predeterminado e então introduzir uma quantidade controlada de gás de processo. Esse gás sofre uma série de reações químicas e de plasma e, finalmente, forma um filme sólido na superfície da amostra.
LPCVD - Deposição química de vapor de baixa pressão (LPCVD) é projetada para reduzir a pressão operacional do gás de reação no reator para cerca de 133Pa ou menos.
Quais são as características de cada um?
PECVD - Processo que combina perfeitamente energia de plasma e CVD: 1) Operação em baixa temperatura (evitando danos ao equipamento por alta temperatura); 2) Rápido crescimento do filme; 3) Não é exigente com materiais, OX, nitreto, portão de metal, carbono amorfo podem crescer; 4) Existe um sistema de monitoramento in-situ, que pode ajustar a receita através de parâmetros de íons, vazão de gás, temperatura e espessura do filme.
LPCVD - Filmes finos depositados por LPCVD terão melhor cobertura de etapas, bom controle de composição e estrutura, alta taxa de deposição e rendimento. Além disso, o LPCVD não requer gás de arraste, por isso reduz bastante a fonte de poluição por partículas e é amplamente utilizado em indústrias de semicondutores de alto valor agregado para deposição de filmes finos.
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Horário da postagem: 24 de julho de 2024