خبرونه

د SiC مایکرو پوډر څنګه جوړیږي؟
د منتظم لخوا په 24-05-13
د SiC واحد کرسټال د ګروپ IV-IV مرکب سیمیکمډکټر مواد دی چې د دوه عناصرو څخه جوړ شوی، Si او C، د 1: 1 په stoichiometric تناسب کې. د هغې سختۍ یوازې د الماس څخه دوهم دی. د SiC چمتو کولو لپاره د سیلیکون اکسایډ میتود کاربن کمول په عمده ډول د لاندې کیمیاوي عکس العمل فارمول پراساس دي ...
نور ولولئ
د epitaxial پرتونه څنګه د سیمیکمډکټر وسیلو سره مرسته کوي؟
د منتظم لخوا په 24-05-13
د epitaxial wafer د نوم اصل لومړی، راځئ چې یو کوچنی مفهوم مشهور کړو: د ویفر چمتو کول دوه مهمې اړیکې لري: د سبسټریټ چمتو کول او د اپیټیکسیل پروسه. سبسټریټ یو ویفر دی چې د سیمی کنډکټر واحد کرسټال موادو څخه جوړ شوی. سبسټریټ کولی شي مستقیم د ویفر تولید ته ننوځي ...
نور ولولئ
د کیمیاوي بخار ډیپوزیشن (CVD) پتلی فلم زیرمه کولو ټیکنالوژۍ پیژندنه
د منتظم لخوا په 24-05-06
د کیمیاوي بخار زیرمه (CVD) د پتلي فلم زیرمه کولو ټیکنالوژي ده چې ډیری وختونه د مختلف فعال فلمونو او پتلي پرت موادو چمتو کولو لپاره کارول کیږي ، او په پراخه کچه د سیمی کنډکټر تولید او نورو برخو کې کارول کیږي. 1. د CVD کاري اصول د CVD پروسې کې، د ګاز مخکینۍ (یو یا ...
نور ولولئ
د فوتوولټیک سیمیکمډکټر صنعت تر شا د "تور سرو زرو" راز: په اسوسټیک ګرافیت کې لیوالتیا او انحصار
د منتظم لخوا په 24-05-06
Isostatic graphite په فوتوولټیکونو او سیمیکمډکټرونو کې خورا مهم مواد دي. د کورني اسوسټاتیک ګرافیت شرکتونو ګړندی وده سره ، په چین کې د بهرنیو شرکتونو انحصار مات شوی. د دوامداره خپلواکې څیړنې او پراختیا او ټیکنالوژیکي پرمختګونو سره ، ...
نور ولولئ
د سیمیکمډکټر سیرامیک تولید کې د ګرافیټ کښتیو لازمي ځانګړتیاو افشا کول
د منتظم لخوا په 24-04-22
د ګرافائٹ کښتۍ چې د ګرافائٹ کښتیو په نوم هم پیژندل کیږي ، د سیمیکمډکټر سیرامیک تولید پیچلي پروسو کې مهم رول لوبوي. دا ځانګړي رګونه د لوړ تودوخې درملنې په جریان کې د سیمی کنډکټر ویفرونو لپاره د باور وړ وړ وړ وړ وړونکي په توګه کار کوي ، دقیق او کنټرول شوي پروسس ډاډمن کوي. سره…
نور ولولئ
د فرنس ټیوب تجهیزاتو داخلي جوړښت په تفصیل سره تشریح شوی
د منتظم لخوا په 24-04-22
لکه څنګه چې پورته ښودل شوي، یو عادي دی لومړۍ نیمایي: ▪ د تودوخې عنصر (د تودوخې کویل): د فرنس ټیوب شاوخوا موقعیت لري، معمولا د مقاومت تارونو څخه جوړ شوي، د فرنس ټیوب دننه تودوخه کولو لپاره کارول کیږي. ▪ کوارټز ټیوب: د ګرم اکسیډیشن فرنس اصلي برخه ، د لوړ پاکوالي کوارټز څخه جوړه شوې چې کولی شي د هوا سره مقاومت وکړي ...
نور ولولئ
د MOSFET وسیلې ځانګړتیاو باندې د SiC سبسټریټ او اپیټیکسیل موادو اغیزې
د منتظم لخوا په 24-04-16
مثلثي عیبونه مثلثي عیبونه د SiC epitaxial پرتونو کې ترټولو وژونکي مورفولوژیکي عیبونه دي. د ادبیاتو لوی شمیر راپورونو ښودلې چې د مثلث نیمګړتیاو رامینځته کول د 3C کرسټال شکل سره تړاو لري. په هرصورت، د مختلف ودې میکانیزمونو له امله، د ډیری مورفولوژي ...
نور ولولئ
د SiC سیلیکون کاربایډ واحد کرسټال وده
د منتظم لخوا په 24-04-16
د هغې د کشف راهیسې، سیلیکون کاربایډ پراخه پاملرنه راجلب کړې. سیلیکون کاربایډ د نیم سی اتومونو او نیم سی سی اتومونو څخه جوړ شوی دی، کوم چې د covalent بانډونو په واسطه د الکترون جوړه د sp3 هایبرډ مدارونو شریکولو له لارې نښلول شوي. د دې واحد کرسټال په بنسټیز ساختماني واحد کې، څلور Si اتومونه دي ...
نور ولولئ
د ګرافیت راډونو VET استثنایی ملکیتونه
په 24-04-08 د منتظم لخوا
ګرافیت، د کاربن بڼه، یو د پام وړ مواد دی چې د خپلو ځانګړو ځانګړتیاوو او د غوښتنلیکونو پراخه لړۍ لپاره پیژندل کیږي. د ګرافیت راډونه، په ځانګړې توګه، د دوی د استثنایی ځانګړتیاوو او استقامت لپاره د پام وړ پیژندنه ترلاسه کړې. د دوی عالي حرارتي چالکتیا سره ، بریښنایی چلونکي ...
نور ولولئ