Den monokrystallinske 8-tommers silisiumskiven fra VET Energy er en bransjeledende løsning for fremstilling av halvledere og elektroniske enheter. Disse skivene tilbyr overlegen renhet og krystallinsk struktur, og er ideelle for høyytelsesapplikasjoner i både solcelle- og halvlederindustrien. VET Energy sikrer at hver wafer blir omhyggelig behandlet for å møte de høyeste standardene, og gir utmerket ensartethet og jevn overflatefinish, som er avgjørende for avansert produksjon av elektroniske enheter.
Disse monokrystallinske 8-tommers silisiumskivene er kompatible med en rekke materialer, inkludert Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, og er spesielt egnet for Epi Wafer-vekst. Deres overlegne varmeledningsevne og elektriske egenskaper gjør dem til et pålitelig valg for høyeffektiv produksjon. I tillegg er disse skivene designet for å fungere sømløst med materialer som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer, og tilbyr et bredt spekter av bruksområder fra kraftelektronikk til RF-enheter. Skivene passer også perfekt inn i kassettsystemer for høyvolum, automatiserte produksjonsmiljøer.
VET Energys produktlinje er ikke begrenset til silisiumskiver. Vi tilbyr også et bredt spekter av halvledersubstratmaterialer, inkludert SiC-substrat, SOI Wafer, SiN-substrat, Epi Wafer, etc., samt nye halvledermaterialer med brede båndgap som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Disse produktene kan møte applikasjonsbehovene til forskjellige kunder innen kraftelektronikk, radiofrekvens, sensorer og andre felt.
VET Energy gir kundene tilpassede waferløsninger. Vi kan tilpasse wafere med forskjellig resistivitet, oksygeninnhold, tykkelse osv. etter kundenes spesifikke behov. I tillegg tilbyr vi også profesjonell teknisk støtte og ettersalgsservice for å hjelpe kunder med å løse ulike problemer som oppstår under produksjonsprosessen.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolutt verdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasing |
OVERFLATEBEHANDLING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Overflatefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overflateruhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillatt (lengde og bredde≥0,5 mm) | ||||
Innrykk | Ingen tillatt | ||||
Riper (Si-Face) | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | ||
Sprekker | Ingen tillatt | ||||
Kantekskludering | 3 mm |