VET Energy 12-tommers SOI wafer er et høyytelses halvledersubstratmateriale, som er svært foretrukket for sine utmerkede elektriske egenskaper og unike struktur. VET Energy bruker avanserte SOI-wafer-produksjonsprosesser for å sikre at waferen har ekstremt lav lekkasjestrøm, høy hastighet og strålingsmotstand, og gir et solid grunnlag for dine høyytelses integrerte kretser.
VET Energys produktlinje er ikke begrenset til SOI wafere. Vi tilbyr også et bredt spekter av halvledersubstratmaterialer, inkludert Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., samt nye halvledermaterialer med brede båndgap som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Disse produktene kan møte applikasjonsbehovene til forskjellige kunder innen kraftelektronikk, RF, sensorer og andre felt.
Med fokus på fortreffelighet bruker våre SOI-wafere også avanserte materialer som galliumoksid Ga2O3, kassetter og AlN-wafere for å sikre pålitelighet og effektivitet på alle operasjonsnivåer. Stol på VET Energy for å tilby banebrytende løsninger som baner vei for teknologiske fremskritt.
Slipp løs potensialet i prosjektet ditt med den overlegne ytelsen til VET Energy 12-tommers SOI-wafere. Øk innovasjonsevnene dine med wafere som legemliggjør kvalitet, presisjon og innovasjon, og legger grunnlaget for suksess innen det dynamiske feltet halvlederteknologi. Velg VET Energy for premium SOI wafer-løsninger som overgår forventningene.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolutt verdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasing |
OVERFLATEBEHANDLING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Overflatefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overflateruhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillatt (lengde og bredde ≥0,5 mm) | ||||
Innrykk | Ingen tillatt | ||||
Riper (Si-Face) | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | ||
Sprekker | Ingen tillatt | ||||
Kantekskludering | 3 mm |