Laagste prijs voor China Aangepaste grafietverwarmer van hoge kwaliteit voor polykristallijne siliciumbaaroven

Korte beschrijving:

Zuiverheid < 5 ppm
‣ Goede dopinguniformiteit
‣ Hoge dichtheid en hechting
‣ Goede weerstand tegen corrosie en koolstof

‣ Professioneel maatwerk
‣ Korte doorlooptijd
‣ Stabiele aanvoer
‣ Kwaliteitscontrole en voortdurende verbetering

Epitaxie van GaN op saffier(RGB/Mini/Micro-LED);Epitaxie van GaN op Si-substraat(UVC);Epitaxie van GaN op Si-substraat(Elektronisch apparaat);Epitaxie van Si op Si-substraat(geïntegreerd circuit);Epitaxie van SiC op SiC-substraat(Substraat);Epitaxie van InP op InP

Stuur een e-mail naar ons Downloaden als PDF

Productdetail

Productlabels

We blijven onze oplossingen en service uitbreiden en perfectioneren. Tegelijkertijd zijn we actief bezig met het doen van onderzoek en verbetering voor de laagste prijs voor China. Hoogwaardige aangepaste grafietverwarmer voor polykristallijne siliciumstavenoven. Onze onderneming groeide snel in omvang en populariteit vanwege haar absolute toewijding aan productie van topkwaliteit, hoge prijs van producten en een fantastische klantleverancier.
We blijven onze oplossingen en service uitbreiden en perfectioneren. Tegelijkertijd zijn we actief bezig met het doen van onderzoek en verbeteringChina Grafiet verwarmingsoven, Grafiet thermisch veldAlleen om een product van goede kwaliteit te kunnen leveren dat aan de vraag van de klant voldoet, zijn al onze producten en oplossingen vóór verzending strikt geïnspecteerd. Wij denken altijd mee met de vraag aan de kant van de klant, want jij wint, wij winnen!

2022 MOCVD-susceptor van hoge kwaliteit Koop online in China

Schijnbare dichtheid:	1,85 g/cm3
Elektrische weerstand:	11 μΩm
Buigsterkte:	49 MPa (500kgf/cm2)
Kusthardheid:	58
As:	<5 ppm
Thermische geleidbaarheid:	116 W/mK (100 kcal/muur-℃)

Een wafer is een plakje silicium van ongeveer 1 millimeter dik dat dankzij technisch zeer veeleisende procedures een extreem vlak oppervlak heeft. Het daaropvolgende gebruik bepaalt welke kristalgroeiprocedure moet worden toegepast. Bij het Czochralski-proces wordt bijvoorbeeld het polykristallijne silicium gesmolten en wordt een potlooddun entkristal in het gesmolten silicium gedompeld. Het zaadkristal wordt vervolgens gedraaid en langzaam naar boven getrokken. Er ontstaat een heel zwaar gevaarte, een monokristal. Het is mogelijk om de elektrische eigenschappen van het monokristal te selecteren door kleine eenheden doteermiddelen met een hoge zuiverheid toe te voegen. De kristallen worden volgens klantspecificatie gedoteerd en vervolgens gepolijst en in plakjes gesneden. Na diverse aanvullende productiestappen ontvangt de klant de gespecificeerde wafers in een speciale verpakking, waardoor de klant de wafer direct in zijn productielijn kan gebruiken.

Een wafer moet verschillende stappen doorlopen voordat deze klaar is voor gebruik in elektronische apparaten. Een belangrijk proces is siliciumepitaxie, waarbij de wafels op grafietkroezen worden gedragen. De eigenschappen en kwaliteit van de susceptors hebben een cruciaal effect op de kwaliteit van de epitaxiale laag van de wafer.

Voor dunnefilmdepositiefasen zoals epitaxie of MOCVD levert VET ultrazuivere grafietapparatuur die wordt gebruikt om substraten of “wafers” te ondersteunen. In de kern van het proces worden deze apparatuur, epitaxie-susceptoren of satellietplatforms voor de MOCVD, eerst onderworpen aan de depositieomgeving:

Hoge temperatuur.
Hoog vacuüm.
Gebruik van agressieve gasvoorlopers.
Geen besmetting, geen peeling.
Bestand tegen sterke zuren tijdens reinigingswerkzaamheden