Bahagian Setengah Bulan Grafit Bersalut SiCis a kuncikomponen yang digunakan dalam proses pembuatan semikonduktor, terutamanya untuk peralatan epitaxial SiC.Kami menggunakan teknologi kami yang dipatenkan untuk membuat bahagian halfmoonkesucian yang sangat tinggi,baiksalutankeseragamandan hayat perkhidmatan yang cemerlang, sertarintangan kimia yang tinggi dan sifat kestabilan haba.
Tenaga VET ialah yangpengeluar sebenar produk grafit dan silikon karbida tersuai dengan salutan CVD,boleh bekalkanpelbagaibahagian tersuai untuk industri semikonduktor dan fotovoltaik. Opasukan teknikal anda berasal dari institusi penyelidikan domestik terkemuka, boleh menyediakan penyelesaian bahan yang lebih profesionaluntuk awak.
Kami terus membangunkan proses lanjutan untuk menyediakan bahan yang lebih maju,dantelah menghasilkan teknologi yang dipatenkan eksklusif, yang boleh menjadikan ikatan antara salutan dan substrat lebih ketat dan kurang terdedah kepada detasmen.
Fciri produk kami:
1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi sehingga 1700℃.
2. Ketulenan tinggi dankeseragaman haba
3. Rintangan kakisan yang sangat baik: asid, alkali, garam dan reagen organik.
4. Kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
5. Hayat perkhidmatan yang lebih lama dan lebih tahan lama
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Sifat fizikal asas CVD SiCsalutan | |
| 性质 / Harta | 典型数值 / Nilai Biasa |
| 晶体结构 / Struktur Kristal | fasa FCC β多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Ketumpatan | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Kekerasan | 2500 维氏硬度（500g beban） |
| 晶粒大小 / Saiz Bijirin | 2~10μm |
| 纯度 / Ketulenan Kimia | 99.99995% |
| 热容 / Kapasiti Haba | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Suhu Sublimasi | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Kekuatan Lentur | 415 MPa RT 4 mata |
| 杨氏模量 / Modulus Muda | 430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermalKekonduksian | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Pengembangan Terma(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Sangat mengalu-alukan anda untuk melawat kilang kami, mari berbincang lebih lanjut!
