GaN Epitaxy berasaskan silikon

Penerangan Produk

Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.

Ciri-ciri utama:

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:

rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.

2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.

4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC