Harga Terendah untuk Pemanas Grafit Tersuai Berkualiti Tinggi China untuk Relau Jongkong Silikon Polihabluran

Harga Terendah untuk Pemanas Grafit Tersuai Berkualiti Tinggi China untuk Relau Ingot Silikon Polihabluran Imej yang Ditampilkan

Penerangan ringkas:

Ketulenan < 5ppm
‣ Keseragaman doping yang baik
‣ Ketumpatan tinggi dan lekatan
‣ Anti-karat dan rintangan karbon yang baik

‣ Penyesuaian profesional
‣ Masa pendahuluan yang singkat
‣ Bekalan stabil
‣ Kawalan kualiti dan penambahbaikan berterusan

Epitaksi GaN pada Sapphire(LED RGB/Mini/Mikro);Epitaksi GaN pada Substrat Si(UVC);Epitaksi GaN pada Substrat Si(Peranti Elektronik);Epitaksi Si pada Substrat Si(Litar bersepadu);Epitaksi SiC pada Substrat SiC(Substrat);Epitaksi InP pada InP

Hantar e-mel kepada kami Muat turun sebagai PDF

Butiran Produk

Tag Produk

Kami terus meningkatkan dan menyempurnakan penyelesaian dan perkhidmatan kami. Pada masa yang sama, kami beroperasi secara aktif untuk melakukan penyelidikan dan peningkatan untuk Harga Terendah untuk Pemanas Grafit Tersuai Berkualiti Tinggi China untuk Relau Jongkong Silikon Polihabluran, Perusahaan kami dengan cepat berkembang dalam saiz dan populariti kerana dedikasi mutlaknya kepada pembuatan berkualiti tinggi, harga yang besar produk dan pembekal pelanggan yang hebat.
Kami terus meningkatkan dan menyempurnakan penyelesaian dan perkhidmatan kami. Pada masa yang sama, kami beroperasi secara aktif untuk melakukan penyelidikan dan penambahbaikan untukRelau Pemanasan Grafit China, Medan Terma Grafit, Hanya untuk mencapai produk berkualiti baik untuk memenuhi permintaan pelanggan, semua produk dan penyelesaian kami telah diperiksa dengan ketat sebelum penghantaran. Kami sentiasa memikirkan soalan di sisi pelanggan, kerana anda menang, kami menang!

2022 berkualiti tinggi MOCVD Susceptor Beli dalam talian di China

Ketumpatan Jelas:	1.85 g/cm3
Kerintangan Elektrik:	11 μΩm
Kekuatan lentur:	49 MPa (500kgf/cm2)
Kekerasan Pantai:	58
Abu:	<5ppm
Kekonduksian Terma:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Wafer ialah kepingan silikon setebal kira-kira 1 milimeter yang mempunyai permukaan yang sangat rata terima kasih kepada prosedur yang secara teknikalnya sangat menuntut. Penggunaan seterusnya menentukan prosedur pertumbuhan kristal yang harus digunakan. Dalam proses Czochralski, sebagai contoh, silikon polihabluran dicairkan dan kristal biji nipis pensil dicelup ke dalam silikon cair. Kristal benih kemudiannya diputar dan ditarik perlahan-lahan ke atas. Colossus yang sangat berat, monokristal, terhasil. Anda boleh memilih ciri elektrik monohablur dengan menambah unit kecil dopan ketulenan tinggi. Kristal didop mengikut spesifikasi pelanggan dan kemudian digilap dan dipotong menjadi kepingan. Selepas pelbagai langkah pengeluaran tambahan, pelanggan menerima wafer yang ditentukan dalam pembungkusan khas, yang membolehkan pelanggan menggunakan wafer dengan segera dalam barisan pengeluarannya.

Wafer perlu melalui beberapa langkah sebelum ia sedia untuk digunakan dalam peranti elektronik. Satu proses penting ialah epitaksi silikon, di mana wafer dibawa pada suseptor grafit. Sifat dan kualiti suseptor mempunyai kesan penting ke atas kualiti lapisan epitaxial wafer.

Untuk fasa pemendapan filem nipis seperti epitaksi atau MOCVD, VET membekalkan peralatan grafit ultra tulen yang digunakan untuk menyokong substrat atau "wafer". Pada teras proses, peralatan ini, susceptor epitaksi atau platform satelit untuk MOCVD, mula-mula tertakluk kepada persekitaran pemendapan:

Suhu tinggi.
Vakum tinggi.
Penggunaan prekursor gas yang agresif.
Sifar pencemaran, ketiadaan pengelupasan.
Rintangan kepada asid kuat semasa operasi pembersihan