Vendor Borong Baik China Penggilapan Lelas dan Peletupan Pasir Silikon Karbida Nano Sic dengan Kekonduksian Terma Yang Baik

Penerangan ringkas:


  • Tempat Asal:China
  • Struktur Kristal:fasa FCCβ
  • Ketumpatan:3.21 g/sm;
  • Kekerasan:2500 Vickers;
  • Saiz Bijirin:2~10μm;
  • Ketulenan Kimia:99.99995%;
  • Kapasiti Haba:640J·kg-1·K-1;
  • Suhu pemejalwapan:2700 ℃;
  • Kekuatan Felexural:415 Mpa (RT 4-Mata);
  • Modulus Muda:430 Gpa (4pt selekoh, 1300℃);
  • Pengembangan Terma (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Kekonduksian Terma:300(W/MK);
  • Butiran Produk

    Tag Produk

    Dengan pengurusan kami yang hebat, keupayaan teknikal yang kuat dan prosedur pengendalian yang sangat baik, kami terus menyediakan pelanggan kami kualiti terbaik yang bereputasi, harga jualan yang berpatutan dan pembekal yang hebat. Kami berhasrat untuk menjadi antara rakan kongsi anda yang paling dipercayai dan memperoleh kepuasan anda untuk Vendor Borong Baik China Penggilapan dan Peletupan Pasir Silikon Karbida NanoSicdengan Kekonduksian Terma yang Baik, Matlamat utama kami adalah sentiasa untuk menduduki tempat sebagai jenama teratas dan juga untuk memimpin sebagai perintis dalam bidang kami. Kami pasti pengalaman produktif kami dalam penciptaan alat akan mendapat kepercayaan pelanggan, Ingin bekerjasama dan bersama-sama mencipta jangka panjang yang lebih baik dengan anda!
    Dengan pengurusan kami yang hebat, keupayaan teknikal yang kuat dan prosedur pengendalian yang sangat baik, kami terus menyediakan pelanggan kami kualiti terbaik yang bereputasi, harga jualan yang berpatutan dan pembekal yang hebat. Kami bertujuan untuk menjadi antara rakan kongsi anda yang paling dipercayai dan memperoleh kepuasan andaChina Silicon Carbide, Sic, Objektif kami adalah "untuk membekalkan produk dan penyelesaian langkah pertama serta perkhidmatan terbaik untuk pelanggan kami, oleh itu kami pasti anda perlu mendapat faedah margin melalui kerjasama dengan kami". Jika anda berminat dengan mana-mana barangan kami atau ingin membincangkan pesanan tersuai, sila hubungi kami. Kami tidak sabar untuk membentuk hubungan perniagaan yang berjaya dengan pelanggan baharu di seluruh dunia dalam masa terdekat.
    Penerangan Produk

    Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang dimendapkan pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC.

    Ciri-ciri utama:

    1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:

    rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.

    2. Ketulenan tinggi: dibuat oleh pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

    3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.

    4. Rintangan kakisan: asid, alkali, garam dan reagen organik.

    Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC

    Sifat SiC-CVD

    Struktur Kristal fasa FCC β
    Ketumpatan g/cm ³ 3.21
    Kekerasan Kekerasan Vickers 2500
    Saiz Bijirin μm 2~10
    Ketulenan Kimia % 99.99995
    Kapasiti Haba J·kg-1 ·K-1 640
    Suhu Sublimasi 2700
    Kekuatan Felexural MPa (RT 4 mata) 415
    Modulus Muda Gpa (4pt selekoh, 1300℃) 430
    Pengembangan Terma (CTE) 10-6K-1 4.5
    Kekonduksian terma (W/mK) 300

    1 2 3 4 5


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Sembang Dalam Talian WhatsApp !