Wafer SiC Jenis N 6 Inci

Wafer SiC Jenis N 6 Inch ini direka bentuk untuk prestasi yang dipertingkatkan dalam keadaan yang melampau, menjadikannya pilihan ideal untuk aplikasi yang memerlukan rintangan kuasa dan suhu tinggi. Produk utama yang dikaitkan dengan wafer ini termasuk Wafer Si, Substrat SiC, Wafer SOI dan Substrat SiN. Bahan ini memastikan prestasi optimum dalam pelbagai proses pembuatan semikonduktor, membolehkan peranti yang cekap tenaga dan tahan lama.

Bagi syarikat yang bekerja dengan Wafer Epi, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette atau AlN Wafer, Wafer SiC Jenis N 6 Inch N VET Energy menyediakan asas yang diperlukan untuk pembangunan produk yang inovatif. Sama ada dalam elektronik berkuasa tinggi atau teknologi RF terkini, wafer ini memastikan kekonduksian yang sangat baik dan rintangan haba yang minimum, menolak sempadan kecekapan dan prestasi.