Вести

Кои се техничките бариери за силициум карбид?Ⅱ
од админ на 24-05-22
Техничките потешкотии во стабилно масовно производство на висококвалитетни силициум карбид наполитанки со стабилни перформанси вклучуваат: 1) Бидејќи кристалите треба да растат во запечатена средина со висока температура над 2000°C, барањата за контрола на температурата се исклучително високи; 2) Бидејќи силициум карбидот има повеќе ...
Прочитајте повеќе
Кои се техничките бариери за силициум карбид?
од админ на 24-05-22
Првата генерација на полупроводнички материјали е претставена со традиционални силициум (Si) и германиум (Ge), кои се основа за производство на интегрирани кола. Тие се широко користени во нисконапонски, нискофреквентни и ниско-моќни транзистори и детектори. Повеќе од 90% од полупроводничките производи...
Прочитајте повеќе
Како се прави SiC микро прав?
од админ на 24-05-13
SiC еднокристалот е полупроводнички материјал од групата IV-IV составен од два елементи, Si и C, во стехиометриски сооднос 1:1. Неговата цврстина е само втора по дијамантот. Методот за редукција на јаглеродот на силициум оксид за да се подготви SiC главно се заснова на следната формула за хемиска реакција...
Прочитајте повеќе
Како епитаксијалните слоеви им помагаат на полупроводничките уреди?
од админ на 24-05-13
Потеклото на името епитаксијална нафора Прво, да популаризираме еден мал концепт: подготовката на нафора вклучува две главни врски: подготовка на подлогата и епитаксијален процес. Подлогата е нафора изработена од полупроводнички еднокристален материјал. Подлогата може директно да влезе во производството на нафора...
Прочитајте повеќе
Вовед во технологијата за таложење на тенок филм со хемиски пареа (CVD).
од админ на 24-05-06
Хемиско таложење на пареа (CVD) е важна технологија за таложење на тенок филм, често се користи за подготовка на различни функционални филмови и тенкослојни материјали, а широко се користи во производството на полупроводници и други полиња. 1. Принцип на работа на CVD Во процесот на CVD, прекурсор на гас (еден или повеќе...
Прочитајте повеќе
Тајната на „црното злато“ зад индустријата за фотоволтаични полупроводници: желбата и зависноста од изостатски графит
од админ на 24-05-06
Изостатскиот графит е многу важен материјал во фотоволтаиците и полупроводниците. Со брзиот пораст на домашните компании за изостатски графит, монополот на странските компании во Кина е скршен. Со континуирано независно истражување и развој и технолошки откритија, на ...
Прочитајте повеќе
Откривање на основните карактеристики на графитните чамци во производството на полупроводничка керамика
од админ на 24-04-22
Графитните чамци, исто така познати како графитни чамци, играат клучна улога во сложените процеси на производство на полупроводничка керамика. Овие специјализирани садови служат како сигурни носачи за полупроводнички наполитанки за време на третмани со висока температура, обезбедувајќи прецизна и контролирана обработка. Со ...
Прочитајте повеќе
Внатрешната структура на опремата на цевката на печката е детално објаснета
од админ на 24-04-22
Како што е прикажано погоре, е типична Првата половина: Елемент за греење (грејачка калем): се наоѓа околу цевката на печката, обично направена од отпорни жици, кои се користат за загревање на внатрешноста на цевката на печката. Кварцна цевка: Јадрото на топла печка за оксидација, изработена од кварц со висока чистота што може да издржи високи...
Прочитајте повеќе
Ефекти на SiC подлогата и епитаксијалните материјали врз карактеристиките на уредот MOSFET
од админ на 24-04-16
Триаголен дефект Триаголните дефекти се најфаталните морфолошки дефекти во епитаксијалните слоеви на SiC. Голем број литературни извештаи покажаа дека формирањето на триаголни дефекти е поврзано со кристалната форма 3C. Сепак, поради различните механизми на раст, морфологијата на многу tr...
Прочитајте повеќе