Рекристализирансилициум карбид (RSiC) керамикасе акерамички материјал со високи перформанси. Поради неговата одлична отпорност на високи температури, отпорност на оксидација, отпорност на корозија и висока цврстина, тој е широко користен во многу области, како што се производството на полупроводници, фотоволтаичната индустрија, печките со висока температура и хемиската опрема. Со зголемената побарувачка за материјали со високи перформанси во модерната индустрија, истражувањето и развојот на рекристализирана керамика од силициум карбид се продлабочуваат.
1. Технологија на подготовка нарекристализирана керамика од силициум карбид
Технологијата на подготовка на рекристализирансилициум карбид керамикаглавно вклучува два методи: синтерување во прав и таложење на пареа (CVD). Меѓу нив, методот на синтерување во прав е синтерување на силициум карбид во прав под висока температура, така што честичките од силициум карбид формираат густа структура преку дифузија и рекристализација помеѓу зрната. Методот на таложење на пареа е да се депонира силициум карбид на површината на подлогата преку хемиска реакција на пареа на висока температура, со што се формира филм со силициум карбид со висока чистота или структурни делови. Овие две технологии имаат свои предности. Методот на синтерување во прав е погоден за производство во големи размери и има ниска цена, додека методот на таложење на пареа може да обезбеди поголема чистота и погуста структура и е широко користен во полето на полупроводници.
2. Материјални својства нарекристализирана керамика од силициум карбид
Извонредната карактеристика на керамиката со рекристализиран силициум карбид е нејзината одлична изведба во средини со висока температура. Точката на топење на овој материјал е висока до 2700°C и има добра механичка сила на високи температури. Покрај тоа, рекристализираниот силициум карбид, исто така, има одлична отпорност на оксидација и отпорност на корозија, и може да остане стабилен во екстремни хемиски средини. Затоа, RSiC керамиката е широко користена во областа на печки со висока температура, огноотпорни материјали со висока температура и хемиска опрема.
Покрај тоа, рекристализираниот силициум карбид има висока топлинска спроводливост и може ефективно да спроведува топлина, што го прави да има важна примена воMOCVD реактории опрема за термичка обработка во производството на полупроводнички нафора. Неговата висока топлинска спроводливост и отпорност на термички удар обезбедуваат сигурна работа на опремата под екстремни услови.
3. Полиња за примена на рекристализирана керамика со силициум карбид
Производство на полупроводници: во индустријата за полупроводници, рекристализирана керамика од силициум карбид се користи за производство на подлоги и потпори во реакторите MOCVD. Поради неговата висока температурна отпорност, отпорност на корозија и висока топлинска спроводливост, RSiC материјалите можат да одржуваат стабилни перформанси во сложени хемиски реакциони опкружувања, обезбедувајќи квалитет и принос на полупроводничките наполитанки.
Фотоволтаична индустрија: Во фотоволтаичната индустрија, RSiC се користи за производство на структурата за поддршка на опремата за раст на кристалите. Бидејќи растот на кристалите треба да се изврши на висока температура за време на процесот на производство на фотоволтаични ќелии, отпорноста на топлина на рекристализираниот силициум карбид обезбедува долгорочна стабилна работа на опремата.
Високотемпературни печки: RSiC керамиката е исто така широко користена во печки со висока температура, како што се облоги и компоненти на вакуумски печки, печки за топење и друга опрема. Неговата отпорност на термички шок и отпорност на оксидација го прават еден од незаменливите материјали во индустриите со високи температури.
4. Истражувачка насока на рекристализирана керамика од силициум карбид
Со зголемената побарувачка за материјали со високи перформанси, насоката за истражување на рекристализираната керамика од силициум карбид постепено стана јасна. Идните истражувања ќе се фокусираат на следните аспекти:
Подобрување на чистотата на материјалот: Со цел да се задоволат повисоки барања за чистота во полупроводничките и фотоволтаичните полиња, истражувачите истражуваат начини за подобрување на чистотата на RSiC преку подобрување на технологијата за таложење на пареа или воведување нови суровини, а со тоа ја зголемуваат неговата примена во овие полиња со висока технологија. .
Оптимизирање на микроструктурата: Со контролирање на условите за синтерување и дистрибуција на честички во прав, микроструктурата на рекристализираниот силициум карбид може дополнително да се оптимизира, а со тоа да се подобрат неговите механички својства и отпорноста на термички шок.
Функционални композитни материјали: Со цел да се прилагодат на посложени средини за употреба, истражувачите се обидуваат да го комбинираат RSiC со други материјали за да развијат композитни материјали со мултифункционални својства, како што се рекристализирани композитни материјали базирани на силициум карбид со поголема отпорност на абење и електрична спроводливост.
5. Заклучок
Како материјал со високи перформанси, керамиката со рекристализиран силициум карбид е широко користена во многу полиња поради нивните одлични својства при висока температура, отпорност на оксидација и отпорност на корозија. Идните истражувања ќе се фокусираат на подобрување на чистотата на материјалот, оптимизирање на микроструктурата и развој на композитни функционални материјали за да се задоволат растечките индустриски потреби. Преку овие технолошки иновации, се очекува рекристализираната керамика од силициум карбид да игра поголема улога во полињата со повеќе висока технологија.
Време на објавување: Октомври-24-2024 година