Ko tenei 6 Inihi N Momo SiC Wafer kua hangaia mo te whakarei ake i nga mahi i roto i nga ahuatanga tino nui, ka waiho hei whiringa pai mo nga tono e hiahia ana ki te kaha teitei me te aukati i te pāmahana. Ko nga hua matua e hono ana ki tenei wafer ko Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, me SiN Substrate. Ko enei rawa e whakarite ana i te mahi tino pai i roto i nga momo mahi hangahanga semiconductor, e taea ai nga taputapu he pai te kaha me te roa.
Mo nga kamupene e mahi tahi ana me Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette, AlN Wafer ranei, ko te VET Energy's 6 Inihi N Momo SiC Wafer te turanga e tika ana mo te whanaketanga hua auaha. Ahakoa kei roto i te hikohiko hiko teitei, i te mea hou ranei i roto i te hangarau RF, ka whakarite enei angiangi kia pai te kawe me te iti o te aukati waiariki, e turaki ana i nga rohe o te pai me te mahi.
NGA WHAKAMAHI WAFERING
*n-Pm=n-momo Pm-Kōeke,n-Ps=n-momo Ps-Kōeke,Sl=Hawhe-insulating
| Tūemi | 8-Inihi | 6-Inihi | 4-inihi | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Kopere(GF3YFCD)-Uara Tino | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Tapa Wafer | Tirohanga | ||||
MATA OTI
*n-Pm=n-momo Pm-Kōeke,n-Ps=n-momo Ps-Kōeke,Sl=Hawhe-insulating
| Tūemi | 8-Inihi | 6-Inihi | 4-inihi | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Whakaoti Mata | Taarua taha Optical Polish,Si- Kanohi CMP | ||||
| Ruarua Mata | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Tipi Tipi | Kore e Whakaaetia (te roa me te whanui≥0.5mm) | ||||
| Nuku | Kaore i Whakaaetia | ||||
| Nga karawarawa(Si-kanohi) | Qty.≤5, Huihuinga | Qty.≤5, Huihuinga | Qty.≤5, Huihuinga | ||
| Kapiti | Kaore i Whakaaetia | ||||
| Whakakorenga Tapa | 3mm | ||||
