8 mirefy P karazana Silicon Wafer

8 Inch P Type Silicon Wafer Sary nasongadina

Famaritana fohy:

Fampidirana ny 8 Inch P Type Silicon Wafer, marika mampiavaka ny VET Energy. Ity wafer miavaka ity, izay misy mombamomba ny doping P-karazana, dia novolavolaina tamim-pitandremana mba hahafeno ny fenitra ambony indrindra amin'ny kalitao sy ny fampisehoana.

Alefaso mailaka aminay Alefaso amin'ny PDF

Product Detail

Tags vokatra

Ny 8 Inch P Type Silicon Wafer avy amin'ny VET Energy dia wafer silisiôma avo lenta natao ho an'ny rindranasa semiconductor isan-karazany, ao anatin'izany ny cellule solaire, fitaovana MEMS, ary circuit integrated. Fantatra amin'ny fitondra elektrônika tena tsara sy ny fahombiazany tsy tapaka, ity wafer ity no safidy tian'ny mpanamboatra mitady hamokatra singa elektronika azo antoka sy mahomby. Ny VET Energy dia miantoka ny haavon'ny doping marina sy ny famaranana ambony kalitao ho an'ny fanamboarana fitaovana tsara indrindra.

Ireo 8 Inch P Type Silicon Wafers dia mifanaraka tanteraka amin'ny fitaovana isan-karazany toa ny SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, ary mety amin'ny fitomboan'ny Epi Wafer, miantoka ny fahaiza-manao ho an'ny dingana famokarana semiconductor mandroso. Ny wafers dia azo ampiasaina miaraka amin'ny fitaovana avo lenta hafa toa ny Gallium Oxide Ga2O3 sy AlN Wafer, ka mahatonga azy ireo ho tonga lafatra amin'ny fampiharana elektronika amin'ny taranaka manaraka. Mifanaraka tsara amin'ny rafitra miorina amin'ny Cassette ihany koa ny famolavolana matanjaka azy ireo, miantoka ny fikarakarana famokarana mahomby sy be dia be.

Ny VET Energy dia manome vahaolana wafer namboarina ho an'ny mpanjifa. Afaka ampanjifaina ny wafers amin'ny resistivity isan-karazany, oksizenina afa-po, hateviny, sns araka ny filan'ny mpanjifa manokana. Ho fanampin'izay, manome fanohanana ara-teknika matihanina sy serivisy aorian'ny varotra ihany koa izahay mba hanampiana ny mpanjifa hamaha ny olana isan-karazany atrehana mandritra ny fizotran'ny famokarana.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-karazana Pm-Grade,n-Ps=n-karazana Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

zavatra	8-mirefy	6-mirefy			4-mirefy
zavatra	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Sanda tanteraka	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Beveling

FINITANA EO

*n-Pm=n-karazana Pm-Grade,n-Ps=n-karazana Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

zavatra	8-mirefy	6-mirefy			4-mirefy
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Surface vita	Polisy Optical lafiny roa, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Edge Chips	Tsy mahazo alalana (lavany sy sakany≥0.5mm)
Indents	Tsy misy navela
Karazana (Si-Face)	Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony	Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony			Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony
triatra	Tsy misy navela
Edge Exclusion	3mm