Silicon Carbide Coated Graphite Substrate for Semiconductor, MOCVD Susceptor

Silicon Carbide Coated Graphite Substrate ho an'ny Semiconductor, MOCVD Susceptor Asongadina sary

Famaritana fohy:

VET Energy SiC Coated Susceptor dia vokatra avo lenta natao hanomezana fampisehoana tsy miovaova sy azo itokisana mandritra ny fotoana maharitra. Izy io dia manana fanoherana hafanana tsara sy hafanana mafana, fahadiovana avo, fanoherana ny erosion, ka mahatonga azy io ho vahaolana tonga lafatra ho an'ny fampiharana fanodinana wafer.

Toerana niaviany:Zhejiang, Sina (Tanibe)

Laharana modely:Laharana modely:

Famoronana simika:SiC coated graphite

flexural hery:470Mpa

Conductivity mafana:300 W/mK

kalitao:tonga lafatra

Asa:CVD-SiC

Fampiharana:Semiconductor / Photovoltaic

Density:3,21 g/cc

Fanitarana mafana:4 10-6/K

lavenona: <5ppm

Santionany:Misy

Kaody HS:6903100000

Alefaso mailaka aminay Alefaso amin'ny PDF

Product Detail

Tags vokatra

VET Energy SiC Coated Susceptordia vahaolana avo lenta novolavolaina tamim-pitandremana mba hanomezana fampisehoana azo itokisana sy tsy miovaova mandritra ny androm-piainany maharitra, mahafeno ny fepetra henjana amin'ny famokarana semiconductor. Ahitana fanoherana hafanana miavaka, fanamiana mafana tsara, ary fahadiovana avo, ity vokatra ity dia mety tsara ho an'ny mpitatitra wafer MOCVD sy ireo fampiharana fanodinana wafer hafa izay mitaky fitoniana sy fahitsiana. Ny fanoherana ny erosiny matanjaka dia mahatonga azy ho safidy tsara ho an'ny tontolo izay tena ilaina ny faharetana sy ny faharesen-dahatra simika.

NYSiC Coated Graphite SusceptorMijoro ho singa manan-danja amin'ny fizotran'ny famokarana semiconductor, mampiasa ny teknolojian'ny patanty manokana an'ny VET Energy mba hahazoana ny fahadiovana avo dia avo, ny fanamiana coating ambony ary ny fitoniana mafana miavaka. Ny coating dia manatsara ny substrate graphite miaraka amin'ny fanoherana simika avo lenta ary ny fiainana serivisy maharitra. Ny fanoloran-tenan'ny VET Energy ho an'ny kalitao dia niteraka mpanentana mifono SiC izay mahafeno ny filàn'ny tsenan'ny mpitatitra wafer graphite, mametraka fenitra avo lenta ho an'ny mpanentana grafita misy SiC ampiasaina amin'nyMOCVD dingana.

Endri-javatra lehibe amin'ny SiC Coated Susceptors:

1. Fanamafisana ny hafanana avo:Mahazaka hafanana hatramin'ny 1700 ℃, ka mety amin'ny toe-javatra fanodinana tafahoatra.

2. Fahadiovana ambony sy fanamiana mafana:Miantoka ny vokatra tsy miovaova, tena ilaina ho an'nyMOCVD susceptorsary fampiharana hafa mazava tsara.

3. Tena fanoherana harafesina:Maharitra amin'ny asidra, alkali, sira, ary reagents organika isan-karazany.

4. Fanatsarana ny hamafin'ny ambonin'ny:Tany mirindra miaraka amin'ny poti-javatra manify izay manome mateza sy maharitra kokoa.

5. Fiainam-panompoana maharitra:Noforonina ho an'ny fampandehanana maharitra, mihoatra lavitra noho ireo susceptors mifono karbida silisiôma mahazatra amin'ny tontolo fanodinana henjana.

Amin'ny maha-mpamokatra lehibe azy, ny VET Energy dia manam-pahaizana manokana amin'ny grafita namboarina syvokatra silisiôma carbidemiaraka amin'ny safidy coating isan-karazany, anisan'izanySiC coating, TaC coating, fitaratra karbônina coating, ary ny pyrolytic carbon coating. Izahay dia manompo amim-pireharehana ny indostrian'ny semiconductor sy photovoltaic, manolotra susceptors graphite misy karbida silisiôma izay mahafeno ny fitakiana manokana.

Ny ekipa ara-teknika, manana traikefa avy amin'ireo andrim-pikarohana ambony ao an-toerana, dia natokana ho amin'ny fandrosoana vahaolana ara-materialy ho an'ny filàna mivoatraSiC-mifono graphite susceptortsena. Amin'ny alàlan'ny dingana vita amin'ny patanty, ny VET Energy dia namolavola teknolojia tsy manam-paharoa izay manatsara ny tanjaky ny fatorana eo amin'ny coating karbida silisiôma sy ny substrate, mampihena ny mety hisian'ny fisarahana ary manatsara ny fahatokisana maharitra.

Fampiharana sy tombony amin'ny fanodinana semiconductor

nySiC coating ho an'ny MOCVDdia manome fahafahanagraphite susceptorsinga mba hihazonana ny fahamendrehana ao anatin'ny tontolo mafana sy manimba, izay tena ilaina amin'ny famokarana semiconductor mazava tsara. Ireo singa grafita mifono SiC ireo dia sarobidy indrindra amin'ny dingana mitaky susceptors misy karbida silisiôma ho an'nympitatitra wafer graphite, izay mitaky fahamarinan-toerana ambony amin'ny hafanana, fahadiovana, ary fanoherana ny fikorontanan'ny simika.

Miaraka amin'ny teknikan'ny fametahana karbida silisiôma mandroso, ny VET Energy dia manohy manohana ny tsenan'ny mpitatitra wafer graphite amin'ny alàlan'ny fanaterana namboarina sy avo lenta.SiC-mifono grafit susceptorsizay miatrika fanamby manokana amin'ny indostria, manomboka amin'ny fizotran'ny MOCVD ka hatramin'ny fampiharana madio indrindra amin'ny sehatry ny semiconductor.