12 mirefy SOI Wafer

Famaritana fohy:

Manandrama fanavaozana tsy mbola nisy toy ny teo aloha miaraka amin'ny 12 Inch SOI Wafer manara-penitra, zava-mahatalanjona ara-teknolojia nentin'ny VET Energy ho anao. Namboarina tamin'ny fahitsiana sy ny fahaiza-manaony, ity wafer Silicon-On-Insulator ity dia mamaritra ny fenitry ny indostria, manome kalitao sy fampisehoana tsy manam-paharoa.

Alefaso mailaka aminay Alefaso amin'ny PDF

Product Detail

Tags vokatra

VET Energy 12-inch SOI wafer dia akora substrate semiconductor avo lenta, izay tena ankafiziny noho ny fananana elektrika tsara sy ny rafitra tokana. Ny VET Energy dia mampiasa ny fizotran'ny famokarana wafer SOI efa mandroso mba hiantohana fa ny wafer dia manana tondra-drano faran'izay ambany, hafainganam-pandeha avo ary fanoherana taratra, manome fototra mafy orina ho an'ny circuit integrated-nao.

Tsy voafetra ho an'ny wafer SOI ihany ny andalana vokatra an'ny VET Energy. Manome fitaovana substrate semiconductor isan-karazany ihany koa izahay, anisan'izany ny Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, sns., Ary koa ireo fitaovana semiconductor midadasika midadasika toy ny Gallium Oxide Ga2O3 sy AlN Wafer. Ireo vokatra ireo dia afaka mahafeno ny filan'ny mpanjifa samihafa amin'ny elektronika herinaratra, RF, sensor ary sehatra hafa.

Mifantoka amin'ny fahalavorariana, mampiasa fitaovana avo lenta toy ny gallium oxide Ga2O3, cassette ary wafers AlN koa ny wafer SOI anay mba hiantohana ny fahamendrehana sy ny fahombiazany amin'ny ambaratonga rehetra miasa. Matokia ny VET Energy hanome vahaolana manara-penitra izay manome lalana ho an'ny fandrosoana ara-teknolojia.

Avoahy ny mety ho an'ny tetikasanao miaraka amin'ny fahombiazan'ny VET Energy 12-inch SOI wafers. Ampitomboy ny fahaiza-manaonao amin'ny alàlan'ny wafer izay ahitana ny kalitao, ny fahamendrehana ary ny fanavaozana, mametraka ny fototry ny fahombiazana eo amin'ny sehatry ny teknolojia semiconductor mavitrika. Safidio ny VET Energy ho an'ny vahaolana wafer SOI premium izay mihoatra ny andrasana.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-karazana Pm-Grade,n-Ps=n-karazana Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

zavatra	8-mirefy	6-mirefy			4-mirefy
zavatra	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Sanda tanteraka	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer Edge	Beveling

FINITANA EO AVY

*n-Pm=n-karazana Pm-Grade,n-Ps=n-karazana Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating

zavatra	8-mirefy	6-mirefy			4-mirefy
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Surface vita	Polisy Optical lafiny roa, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Edge Chips	Tsy mahazo alalana (lavany sy sakany≥0.5mm)
Indents	Tsy misy navela
Karazana (Si-Face)	Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony	Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony			Qty.≤5, Mitambatra Length≤0.5×wafer savaivony
triatra	Tsy misy navela
Edge Exclusion	3mm