SiC pārklājumu var pagatavot, izmantojot ķīmisko tvaiku pārklāšanu (CVD), prekursoru transformāciju, plazmas izsmidzināšanu utt. ĶĪMISKĀS tvaiku pārklāšanas rezultātā sagatavotais pārklājums ir viendabīgs un kompakts, un tam ir laba projektējamība. Izmantojot metiltrihlosilānu. (CHzSiCl3, MTS) kā silīcija avots, SiC pārklājuma sagatavošana...
Lasīt vairāk