Naujienos

Kokios yra silicio karbido techninės kliūtys?Ⅱ
admin 24-05-22
Stabiliai masiškai gaminant aukštos kokybės, stabiliai veikiančias silicio karbido plokšteles, kyla šie techniniai sunkumai: 1) kadangi kristalai turi augti aukštos temperatūros sandarioje aplinkoje, aukštesnėje nei 2000°C temperatūroje, temperatūros kontrolės reikalavimai yra itin aukšti; 2) Kadangi silicio karbidas turi daugiau...
Skaityti daugiau
Kokios yra silicio karbido techninės kliūtys?
admin 24-05-22
Pirmosios kartos puslaidininkines medžiagas atstovauja tradicinis silicis (Si) ir germanis (Ge), kurie yra integrinių grandynų gamybos pagrindas. Jie plačiai naudojami žemos įtampos, žemo dažnio ir mažos galios tranzistoriuose ir detektoriuose. Daugiau nei 90% puslaidininkių gaminių...
Skaityti daugiau
Kaip gaminami SiC mikro milteliai?
admin 24-05-13
SiC monokristalas yra IV-IV grupių sudėtinė puslaidininkinė medžiaga, sudaryta iš dviejų elementų, Si ir C, stechiometriniu santykiu 1:1. Jo kietumas nusileidžia tik deimantams. Silicio oksido anglies redukcijos metodas SiC paruošti daugiausia grindžiamas tokia cheminės reakcijos formule...
Skaityti daugiau
Kaip epitaksiniai sluoksniai padeda puslaidininkiniams įtaisams?
admin 24-05-13
Epitaksinės plokštelės pavadinimo kilmė Pirmiausia išpopuliarinkime nedidelę koncepciją: plokštelių paruošimas apima dvi pagrindines grandis: substrato paruošimą ir epitaksinį procesą. Substratas yra plokštelė, pagaminta iš puslaidininkinės monokristalinės medžiagos. Substratas gali tiesiogiai patekti į plokštelių gamybą...
Skaityti daugiau
Cheminio nusodinimo garais (CVD) plonasluoksnio nusodinimo technologijos įvadas
admin 24-05-06
Cheminis nusodinimas iš garų (CVD) yra svarbi plonasluoksnio nusodinimo technologija, dažnai naudojama įvairioms funkcinėms plėvelėms ir plonasluoksnėms medžiagoms ruošti, plačiai naudojama puslaidininkių gamyboje ir kitose srityse. 1. CVD veikimo principas CVD procese dujų pirmtakas (vienas arba mo...
Skaityti daugiau
„Juodojo aukso“ fotovoltinių puslaidininkių pramonės paslaptis: noras ir priklausomybė nuo izostatinio grafito
admin 24-05-06
Izostatinis grafitas yra labai svarbi fotoelektros ir puslaidininkių medžiaga. Sparčiai augant vietinėms izostatinio grafito įmonėms, užsienio kompanijų monopolija Kinijoje buvo sulaužyta. Dėl nuolatinių nepriklausomų tyrimų ir plėtros bei technologinių pasiekimų, ...
Skaityti daugiau
Pagrindinės grafito valčių charakteristikos puslaidininkinės keramikos gamyboje
admin 24-04-22
Grafitinės valtys, taip pat žinomos kaip grafito valtys, atlieka lemiamą vaidmenį sudėtinguose puslaidininkinės keramikos gamybos procesuose. Šie specializuoti indai yra patikimi puslaidininkinių plokštelių laikikliai aukštoje temperatūroje apdorojant, užtikrinantys tikslų ir kontroliuojamą apdorojimą. Su...
Skaityti daugiau
Išsamiai paaiškinta krosnies vamzdžių įrangos vidinė struktūra
admin 24-04-22
Kaip parodyta aukščiau, yra tipiškas Pirmoji pusė: kaitinimo elementas (kaitinimo ritė): esantis aplink krosnies vamzdį, paprastai pagamintas iš varžos laidų, naudojamas krosnies vamzdžio vidui šildyti. Kvarcinis vamzdis: karštos oksidacijos krosnies šerdis, pagaminta iš labai gryno kvarco, kuris gali atlaikyti...
Skaityti daugiau
SiC substrato ir epitaksinių medžiagų poveikis MOSFET įrenginio charakteristikoms
admin 24-04-16
Trikampis defektas Trikampiai defektai yra labiausiai mirtini morfologiniai SiC epitaksinių sluoksnių defektai. Daugybė literatūros pranešimų parodė, kad trikampių defektų susidarymas yra susijęs su 3C kristalų forma. Tačiau dėl skirtingų augimo mechanizmų daugelio tr...
Skaityti daugiau