SiC coating graphite MOCVD Wafer carriers/susceptor
ທຸກໆ susceptors ຂອງພວກເຮົາແມ່ນເຮັດດ້ວຍ graphite isostatic ທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ. ໄດ້ຮັບຜົນປະໂຫຍດຈາກຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງ graphites ຂອງພວກເຮົາ - ພັດທະນາໂດຍສະເພາະສໍາລັບຂະບວນການທີ່ທ້າທາຍເຊັ່ນ: epitaxy, ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, ການປູກຝັງ ion ແລະ etching plasma, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບການຜະລິດຊິບ LED.
ຄຸນນະສົມບັດຂອງຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ:
1. ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1700 ℃.
2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຄວາມຮ້ອນ
3. ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ທີ່ດີເລີດ: ອາຊິດ, alkali, ເກືອແລະ reagents ອິນຊີ.
4. ຄວາມແຂງສູງ, ພື້ນຜິວຫນາແຫນ້ນ, ອະນຸພາກລະອຽດ.
5. ຊີວິດການບໍລິການທີ່ຍາວນານແລະທົນທານຫຼາຍ
CVD SiC薄膜基本物理性能 ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບພື້ນຖານຂອງ CVD SiCການເຄືອບ | |
性质 / ຊັບສິນ | 典型数值 / ມູນຄ່າປົກກະຕິ |
晶体结构 / ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ | ໄລຍະ FCC β多晶,主要为(111) 取向 |
密度 / ຄວາມຫນາແຫນ້ນ | 3.21 g/cm³ |
硬度 / ຄວາມແຂງ | 2500 维氏硬度 (ໂຫຼດ 500g) |
晶粒大小 / ເມັດ SiZe | 2-10 ມມ |
纯度 / ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ | 99.99995% |
热容 / ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ | 640 J·kg-1· ຄ-1 |
升华温度 / ອຸນຫະພູມ sublimation | 2700℃ |
抗弯强度 / ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural | 415 MPa RT 4 ຈຸດ |
杨氏模量 / Modulus ຂອງຫນຸ່ມ | 430 Gpa 4pt ໂຄ້ງ, 1300 ℃ |
导热系数 / ຄວາມຮ້ອນລການນໍາ | 300W·m-1· ຄ-1 |
热膨胀系数 / ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ພະລັງງານ VET ແມ່ນຜູ້ຜະລິດທີ່ແທ້ຈິງຂອງຜະລິດຕະພັນ graphite ແລະ silicon carbide ທີ່ກໍາຫນົດເອງດ້ວຍການເຄືອບທີ່ແຕກຕ່າງກັນເຊັ່ນ: ການເຄືອບ SiC, ການເຄືອບ TaC, ການເຄືອບກາກບອນແກ້ວ, ການເຄືອບກາກບອນ pyrolytic, ແລະອື່ນໆ, ສາມາດສະຫນອງພາກສ່ວນທີ່ກໍາຫນົດເອງຕ່າງໆສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະ photovoltaic.
ທີມງານດ້ານວິຊາການຂອງພວກເຮົາມາຈາກສະຖາບັນຄົ້ນຄ້ວາພາຍໃນປະເທດຊັ້ນນໍາ, ສາມາດສະຫນອງການແກ້ໄຂອຸປະກອນການເປັນມືອາຊີບຫຼາຍສໍາລັບທ່ານ.
ພວກເຮົາພັດທະນາຂະບວນການທີ່ກ້າວຫນ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງເພື່ອສະຫນອງວັດສະດຸທີ່ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານຫຼາຍ, ແລະໄດ້ເຮັດວຽກອອກເຕັກໂນໂລຢີສິດທິບັດສະເພາະ, ເຊິ່ງສາມາດເຮັດໃຫ້ຄວາມຜູກພັນລະຫວ່າງການເຄືອບແລະ substrate ເຄັ່ງຄັດຂື້ນແລະມີຄວາມສ່ຽງຫນ້ອຍທີ່ຈະ detachment.
ຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານໄປຢ້ຽມຢາມໂຮງງານຜະລິດຂອງພວກເຮົາຢ່າງອົບອຸ່ນ, ຂໍໃຫ້ມີການສົນທະນາຕື່ມອີກ!