ຂ່າວ

ສິ່ງກີດຂວາງທາງດ້ານເຕັກນິກຂອງຊິລິໂຄນຄາໄບ?
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-05-22
ການຜະລິດວັດສະດຸ semiconductor ທໍາອິດແມ່ນເປັນຕົວແທນໂດຍຊິລິໂຄນແບບດັ້ງເດີມ (Si) ແລະ germanium (Ge), ເຊິ່ງເປັນພື້ນຖານສໍາລັບການຜະລິດວົງຈອນປະສົມປະສານ. ພວກເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຕ່ໍາແຮງດັນ, ຄວາມຖີ່ຕ່ໍາ, transistors ພະລັງງານຕ່ໍາແລະເຄື່ອງກວດຈັບ. ຫຼາຍກວ່າ 90% ຂອງຜະລິດຕະພັນ semiconductor...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
SiC micro powder ສ້າງຂຶ້ນແນວໃດ?
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-05-13
SiC ຜລຶກດຽວແມ່ນວັດສະດຸ semiconductor ປະສົມຂອງກຸ່ມ IV-IV ທີ່ປະກອບດ້ວຍສອງອົງປະກອບ, Si ແລະ C, ໃນອັດຕາສ່ວນ stoichiometric ຂອງ 1: 1. ຄວາມແຂງຂອງມັນແມ່ນອັນດັບສອງພຽງແຕ່ເພັດ. ວິທີການຫຼຸດຜ່ອນກາກບອນຂອງຊິລິໂຄນອອກໄຊເພື່ອກະກຽມ SiC ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນອີງໃສ່ສູດປະຕິກິລິຍາເຄມີຕໍ່ໄປນີ້ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ຊັ້ນ epitaxial ຊ່ວຍອຸປະກອນ semiconductor ແນວໃດ?
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-05-13
ຕົ້ນກໍາເນີດຂອງຊື່ wafer epitaxial ຫນ້າທໍາອິດ, ໃຫ້ນິຍົມແນວຄວາມຄິດຂະຫນາດນ້ອຍ: ການກະກຽມ wafer ປະກອບມີສອງເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ສໍາຄັນ: ການກະກຽມ substrate ແລະຂະບວນການ epitaxial. substrate ແມ່ນ wafer ທີ່ເຮັດດ້ວຍ semiconductor ວັດສະດຸໄປເຊຍກັນດຽວ. substrate ໂດຍກົງສາມາດເຂົ້າໄປໃນ wafer manufacturi ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ແນະນຳເທັກໂນໂລຍີການລະບາຍອາຍຂອງສານເຄມີ (CVD) ບາງໆ
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-05-06
Chemical Vapor Deposition (CVD) ແມ່ນເທັກໂນໂລຍີການຊຶມເຊື້ອຂອງຟິມບາງໆທີ່ສຳຄັນ, ມັກໃຊ້ເພື່ອກະກຽມຮູບເງົາທີ່ມີປະໂຫຍດຕ່າງໆ ແລະວັດສະດຸຊັ້ນບາງໆ, ແລະຖືກນຳໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດເຊມິຄອນດັກເຕີ ແລະຂະແໜງອື່ນໆ. 1. ຫຼັກການການເຮັດວຽກຂອງ CVD ໃນຂະບວນການ CVD, ທາດອາຍແກັສ precursor (ຫນຶ່ງຫຼື ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ຄວາມລັບ "ຄໍາສີດໍາ" ທີ່ຢູ່ເບື້ອງຫລັງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor photovoltaic: ຄວາມປາຖະຫນາແລະການເພິ່ງພາອາໄສ isostatic graphite
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-05-06
Isostatic graphite ເປັນວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນຫຼາຍໃນ photovoltaics ແລະ semiconductors. ດ້ວຍການເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງໄວວາຂອງບໍລິສັດ graphite isostatic ພາຍໃນປະເທດ, ການຜູກຂາດຂອງບໍລິສັດຕ່າງປະເທດໃນປະເທດຈີນໄດ້ຖືກທໍາລາຍ. ດ້ວຍການຄົ້ນຄວ້າແລະການພັດທະນາຢ່າງເປັນເອກະລາດຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງແລະຄວາມແຕກຕ່າງດ້ານເຕັກໂນໂລຊີ, ການ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ການເປີດເຜີຍລັກສະນະທີ່ສໍາຄັນຂອງເຮືອ Graphite ໃນການຜະລິດເຊລາມິກ Semiconductor
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-04-22
ເຮືອ Graphite, ເຊິ່ງເອີ້ນກັນວ່າ ເຮືອກາໄຟ, ມີບົດບາດສຳຄັນໃນຂະບວນການທີ່ສັບສົນຂອງການຜະລິດເຊມິຄອນດັກເຕີເຊລາມິກ. ເຮືອພິເສດເຫຼົ່ານີ້ເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ສໍາລັບ wafers semiconductor ໃນລະຫວ່າງການປິ່ນປົວອຸນຫະພູມສູງ, ຮັບປະກັນການປຸງແຕ່ງທີ່ຊັດເຈນແລະຄວບຄຸມ. ດ້ວຍ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ໂຄງສ້າງພາຍໃນຂອງອຸປະກອນທໍ່ furnace ໄດ້ຖືກອະທິບາຍຢ່າງລະອຽດ
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-04-22
ດັ່ງທີ່ສະແດງຂ້າງເທິງ, ເຄິ່ງທໍາອິດແມ່ນປົກກະຕິ: ▪ ອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນ (ທໍ່ຄວາມຮ້ອນ): ຕັ້ງຢູ່ອ້ອມຮອບທໍ່ furnace, ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນເຮັດດ້ວຍສາຍຕໍ່ຕ້ານ, ໃຊ້ເພື່ອໃຫ້ຄວາມຮ້ອນພາຍໃນທໍ່ furnace. ▪ ທໍ່ Quartz: ຫຼັກຂອງເຕົາອົບອອກຊິເຈນທີ່ຮ້ອນ, ເຮັດດ້ວຍ quartz ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ສາມາດທົນທານຕໍ່ h ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ຜົນກະທົບຂອງ substrate SiC ແລະວັດສະດຸ epitaxial ກ່ຽວກັບຄຸນລັກສະນະອຸປະກອນ MOSFET
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-04-16
ຂໍ້ບົກພ່ອງສາມຫຼ່ຽມສາມຫຼ່ຽມແມ່ນຂໍ້ບົກພ່ອງດ້ານ morphological ທີ່ຮ້າຍແຮງທີ່ສຸດໃນຊັ້ນ SiC epitaxial. ບົດລາຍງານວັນນະຄະດີຈໍານວນຫລາຍໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າການສ້າງຕັ້ງຂອງຂໍ້ບົກພ່ອງຂອງຮູບສາມລ່ຽມແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບຮູບແບບ 3C ໄປເຊຍກັນ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເນື່ອງຈາກກົນໄກການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, morphology ຂອງຈໍານວນຫຼາຍ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC silicon carbide ໄປເຊຍກັນດຽວ
ໂດຍ admin ວັນທີ 24-04-16
ນັບຕັ້ງແຕ່ການຄົ້ນພົບຂອງມັນ, silicon carbide ໄດ້ດຶງດູດຄວາມສົນໃຈຢ່າງກວ້າງຂວາງ. Silicon carbide ແມ່ນປະກອບດ້ວຍເຄິ່ງປະລໍາມະນູ Si ແລະເຄິ່ງຫນຶ່ງ C ປະລໍາມະນູ, ເຊິ່ງເຊື່ອມຕໍ່ໂດຍພັນທະບັດ covalent ຜ່ານຄູ່ເອເລັກໂຕຣນິກແບ່ງປັນ sp3 ປະສົມ orbitals. ໃນຫົວໜ່ວຍໂຄງສ້າງພື້ນຖານຂອງໄປເຊຍກັນອັນດຽວຂອງມັນ, ສີ່ປະລໍາມະນູ Si ເປັນ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ