ຂ່າວ

ການກະກຽມແລະການປັບປຸງການປະຕິບັດຂອງ Porous Silicon Carbon Composite ອຸປະກອນ
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-11-13
ແບດເຕີລີ່ lithium-ion ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນການພັດທະນາໃນທິດທາງຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານສູງ. ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ, ວັດສະດຸ electrode ລົບທີ່ອີງໃສ່ຊິລິໂຄນໂລຫະປະສົມກັບ lithium ເພື່ອຜະລິດຜະລິດຕະພັນທີ່ອຸດົມສົມບູນຂອງ lithium ໄລຍະ Li3.75Si, ມີຄວາມສາມາດສະເພາະເຖິງ 3572 mAh / g, ເຊິ່ງສູງກວ່າທາງທິດສະດີຫຼາຍ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
Oxidation ຄວາມຮ້ອນຂອງ Single Crystal Silicon
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-11-13
ການສ້າງຕັ້ງຂອງຊິລິໂຄນ dioxide ເທິງຫນ້າດິນຂອງຊິລິໂຄນແມ່ນເອີ້ນວ່າການຜຸພັງ, ແລະການສ້າງຂອງຊິລິໂຄນ dioxide ທີ່ຫມັ້ນຄົງແລະຍຶດຫມັ້ນຢ່າງແຂງແຮງເຮັດໃຫ້ການເກີດຂອງຊິລິໂຄນປະສົມປະສານເຕັກໂນໂລຊີ planar ວົງຈອນ. ເຖິງແມ່ນວ່າມີຫຼາຍວິທີທີ່ຈະປູກຊິລິໂຄນໄດອອກໄຊໂດຍກົງຢູ່ເທິງພື້ນຜິວຂອງຊິລິໂຄນ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ການປຸງແຕ່ງ UV ສໍາລັບການຫຸ້ມຫໍ່ Fan-Out Wafer-Level
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-11-05
ການຫຸ້ມຫໍ່ລະດັບ wafer ພັດລົມອອກ (FOWLP) ເປັນວິທີການປະສິດທິພາບຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ແຕ່ຜົນກະທົບຂ້າງຄຽງປົກກະຕິຂອງຂະບວນການນີ້ແມ່ນ warping ແລະ chip offset. ເຖິງວ່າຈະມີການປັບປຸງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງລະດັບ wafer ແລະລະດັບການພັດລົມຂອງກະດານ, ບັນຫາເຫຼົ່ານີ້ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບ molding ຍັງ exi ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
Silicon carbide ceramics: terminator ຂອງອົງປະກອບ quartz photovoltaic
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-11-05
ດ້ວຍການພັດທະນາຢ່າງບໍ່ຢຸດຢັ້ງຂອງໂລກທຸກມື້ນີ້, ພະລັງງານທີ່ບໍ່ສາມາດຜະລິດຄືນໃໝ່ໄດ້ໝົດໄປນັບມື້ນັບຫຼາຍຂຶ້ນ, ສັງຄົມມະນຸດກໍຮີບດ່ວນທີ່ຈະນຳໃຊ້ພະລັງງານທົດແທນທີ່ປະກອບດ້ວຍ "ລົມ, ແສງສະຫວ່າງ, ນ້ຳ ແລະ ນິວເຄຼຍ". ເມື່ອປຽບທຽບກັບແຫຼ່ງພະລັງງານທົດແທນອື່ນໆ, ມະນຸດ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ປະຕິກິລິຍາ sintering ແລະ sintering pressureless ຂະບວນການກະກຽມ silicon carbide ceramic
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-29
Reaction sintering The reaction sintering silicon carbide ceramic process production include ceramic compacting , sintering flux infiltration agent compacting , ຕິກິຣິຍາ sintering ceramic ການກະກຽມຜະລິດຕະພັນ, ການກະກຽມ silicon carbide ໄມ້ ceramic ແລະຂັ້ນຕອນອື່ນໆ. ປະຕິກິລິຍາ sintering ຊິລິໂຄນລົດ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
Silicon carbide ceramics: ອົງປະກອບຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບຂະບວນການ semiconductor
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-29
ເທກໂນໂລຍີ Photolithography ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນສຸມໃສ່ການນໍາໃຊ້ລະບົບ optical ເພື່ອເປີດເຜີຍຮູບແບບວົງຈອນໃນຊິລິໂຄນ wafers. ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງຂະບວນການນີ້ມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ການປະຕິບັດແລະຜົນຜະລິດຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ. ເປັນຫນຶ່ງໃນອຸປະກອນຊັ້ນນໍາສໍາລັບການຜະລິດຊິບ, ເຄື່ອງ lithography ປະກອບດ້ວຍ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ຄວາມຕ້ອງການແລະການ ນຳ ໃຊ້ຄວາມຮ້ອນສູງ SiC ceramics ໃນຂົງເຂດ semiconductor
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-24
ໃນປັດຈຸບັນ, silicon carbide (SiC) ແມ່ນວັດສະດຸເຊລາມິກທີ່ມີຄວາມຮ້ອນທີ່ມີການສຶກສາຢ່າງຈິງຈັງຢູ່ພາຍໃນແລະຕ່າງປະເທດ. ການນໍາຄວາມຮ້ອນທາງທິດສະດີຂອງ SiC ແມ່ນສູງຫຼາຍ, ແລະບາງຮູບແບບໄປເຊຍກັນສາມາດບັນລຸ 270W / mK, ເຊິ່ງເປັນຜູ້ນໍາຂອງວັດສະດຸທີ່ບໍ່ແມ່ນຕົວນໍາ. ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, a ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ສະຖານະການວິໄຈຂອງເຊລາມິກຊິລິຄອນຄາໄບທີ່ເຮັດດ້ວຍຄວາມຮ້ອນໃໝ່
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-24
ເຊລາມິກ Silicon Carbide (RSiC) Recrystallized ເປັນວັດສະດຸເຊລາມິກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ. ເນື່ອງຈາກການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແລະຄວາມແຂງສູງ, ມັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຫຼາຍຂົງເຂດ, ເຊັ່ນ: ການຜະລິດ semiconductor, photovoltaic industr ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ
ການເຄືອບ sic ແມ່ນຫຍັງ? - ພະລັງງານສັດຕະວະແພດ
ໂດຍ admin ໃນວັນທີ 24-10-18
Silicon Carbide ແມ່ນສານປະກອບແຂງທີ່ມີຊິລິໂຄນແລະຄາບອນ, ແລະພົບເຫັນຢູ່ໃນທໍາມະຊາດເປັນແຮ່ທາດ moissanite ທີ່ຫາຍາກທີ່ສຸດ. ອະນຸພາກ Silicon carbide ສາມາດຖືກຜູກມັດຮ່ວມກັນໂດຍການ sintering ເພື່ອສ້າງເຊລາມິກທີ່ແຂງຫຼາຍ, ເຊິ່ງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ຕ້ອງການຄວາມທົນທານສູງ, ໂດຍສະເພາະ ...
ອ່ານເພີ່ມເຕີມ