Vertikal Kolonn Wafer Boot & Sockel

Vertikal Kolonn Wafer Boot & Pedestal Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

De Vertical Column Wafer Boat & Pedestal aus Vet-China bitt super Stabilitéit a Präzisioun beim Waferhandhabung fir Hallefleitfabrikatioun. Mat dem fortgeschrattem Design vum Vet-China, garantéiert dëse System eng optimal Ausriichtung a sécherer Retention, verbessert d'operativ Effizienz a reduzéiert Waferschued.

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

vet-china präsentéiert den innovativen Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, eng ëmfaassend Léisung fir fortgeschratt Hallefleitveraarbechtung. Entworf mat virsiichteg Präzisioun, bitt dëse Wafer Handling System oniwwertraff Stabilitéit an Ausrichtung, entscheedend fir héicheffizient Fabrikatiounsëmfeld.

De Vertical Column Wafer Boat & Pedestal ass mat Premiummaterialien gebaut déi thermesch Stabilitéit a Resistenz géint chemesch Korrosioun garantéieren, sou datt et gëeegent ass fir déi exigent Halbleiterfabrikatiounsprozesser. Säin eenzegaartege vertikale Kolonndesign ënnerstëtzt Wafere sécher, reduzéiert de Risiko vu Fehlausrichtung a potenzielle Schued beim Transport an der Veraarbechtung.

Mat der Integratioun vu Vet-China's Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, Halbleiter Hiersteller kënnen e verbesserten Duerchgang, miniméierter Ausdauer an eng erhéicht Produktrendung erwaarden. Dëse System ass kompatibel mat verschiddene Wafergréissten a Konfiguratiounen, bitt Flexibilitéit a Skalierbarkeet fir verschidde Produktiounsbedierfnesser.

Vet-China Engagement fir Exzellenz garantéiert datt all Vertikal Kolonn Wafer Boat & Pedestal den héchste Standarde vu Qualitéit a Leeschtung entsprécht. Andeems Dir dës modernste Léisung auswielt, investéiert Dir an eng zukünfteg-beständeg Approche fir Wafer-Handhabung, déi d'Effizienz an d'Zouverlässegkeet an der Hallefleitfabrikatioun maximéiert.

Eegeschafte vun rekristalliséierte Siliziumkarbid

Rekristalliséierte Siliziumkarbid (R-SiC) ass en héich performant Material mat enger Härtheet zweet nëmmen Diamant, wat bei enger héijer Temperatur iwwer 2000 ℃ geformt gëtt. Et behält vill excellent Eegeschafte vun SiC, wéi héich Temperatur Kraaft, staark corrosion Resistenz, excellent Oxidatioun Resistenz, gutt thermesch Schock Resistenz an sou op.

● Excellent mechanesch Eegeschaften. Rekristalliséiert Siliziumkarbid huet méi héich Kraaft a Steifheit wéi Kuelestofffaser, héich Impaktbeständegkeet, kann eng gutt Leeschtung an extremen Temperaturëmfeld spillen, kann eng besser Géigebalance Leeschtung a ville Situatiounen spillen. Zousätzlech huet et och gutt Flexibilitéit a gëtt net liicht beschiedegt duerch Stretching a Béie, wat seng Leeschtung staark verbessert.

● Héich corrosion Resistenz. Rekristalliséierte Siliziumkarbid huet eng héich Korrosiounsbeständegkeet fir eng Vielfalt vu Medien, kann d'Erosioun vu verschiddene korrosive Medien verhënneren, seng mechanesch Eegeschafte fir eng laang Zäit behalen, huet eng staark Adhäsioun, sou datt et e méi laang Liewensdauer huet. Zousätzlech huet et och gutt thermesch Stabilitéit, kann sech un eng gewëssen Temperaturverännerung upassen, seng Uwendungseffekt verbesseren.

● Sintering schrumpft net. Well de Sinterprozess net schrumpft, wäert kee Reschtstress Verformung oder Rëss vum Produkt verursaachen, an Deeler mat komplexe Formen an héich Präzisioun kënne virbereet ginn.

重结晶碳化硅物理特性 Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid
性质 / Immobilie	典型数值 / Typesch Wäert
使用温度/ Aarbechtstemperatur (°C)	1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéierend Ëmfeld)
SiC含量/ SiC Inhalt	> 99,96%
自由Si 含量/ Free Si Inhalt	< 0,1%
体积密度/Bulk Dicht	2,60-2,70 g/cm³
气孔率/ Scheinbar Porositéit	< 16%
抗压强度/ Kompressioun Kraaft	> 600MPa
常温抗弯强度/Kale Béie Kraaft	80-90 MPa (20°C)
高温抗弯强度Hot Béie Kraaft	90-100 MPa (1400°C)
热膨胀系数/ Thermesch Expansioun @1500°C	4,70 10^-6/°C
导热系数/Wärmeleitung @1200°C	23W/m•K
杨氏模量/ Elastizmodul	240 GPa
抗热震性/ thermesch Schock Resistenz	Extrem gutt

VET Energy ass denrealen Hiersteller vu personaliséierte Graphit a Siliziumkarbidprodukter mat CVD Beschichtung,liwweren kënnenverschiddepersonaliséiert Deeler fir Hallefleit- a Photovoltaikindustrie. OÄr technesch Equipe kënnt aus Top Gewalt Fuerschung Institutiounen, kann méi professionell Material Léisungen biddenfir dech.

Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze bidden,anhunn eng exklusiv patentéiert Technologie ausgeschafft, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofdreiwung maache kann.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiCBeschichtung
性质 / Immobilie	典型数值 / Typesch Wäert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC β Phase多晶，主要为（111) 取向
密度 / Dicht	3,21 g/cm³
硬度 / Hardness	2500 维氏硬度（500g Belaaschtung）
晶粒大小 / Grain Gréisst	2 ~ 10 μm
纯度 / Chemesch Rengheet	99,99995%
热容 / Hëtzt Kapazitéit	640 jkg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatioun Temperatur	2700 ℃
抗弯强度 / Flexural Kraaft	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃
导热系数 / ThermlKonduktivitéit	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermal Expansioun (CTE)	4,5x10^-6K^-1