vet-china präsentéiert den innovativen Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, eng ëmfaassend Léisung fir fortgeschratt Hallefleitveraarbechtung. Entworf mat virsiichteg Präzisioun, bitt dëse Wafer Handling System oniwwertraff Stabilitéit an Ausrichtung, entscheedend fir héicheffizient Fabrikatiounsëmfeld.
De Vertical Column Wafer Boat & Pedestal ass mat Premiummaterialien gebaut déi thermesch Stabilitéit a Resistenz géint chemesch Korrosioun garantéieren, sou datt et gëeegent ass fir déi exigent Halbleiterfabrikatiounsprozesser. Säin eenzegaartege vertikale Kolonndesign ënnerstëtzt Wafere sécher, reduzéiert de Risiko vu Fehlausrichtung a potenzielle Schued beim Transport an der Veraarbechtung.
Mat der Integratioun vu Vet-China's Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, Halbleiter Hiersteller kënnen e verbesserten Duerchgang, miniméierter Ausdauer an eng erhéicht Produktrendung erwaarden. Dëse System ass kompatibel mat verschiddene Wafergréissten a Konfiguratiounen, bitt Flexibilitéit a Skalierbarkeet fir verschidde Produktiounsbedierfnesser.
Vet-China Engagement fir Exzellenz garantéiert datt all Vertikal Kolonn Wafer Boat & Pedestal den héchste Standarde vu Qualitéit a Leeschtung entsprécht. Andeems Dir dës modernste Léisung auswielt, investéiert Dir an eng zukünfteg-beständeg Approche fir Wafer-Handhabung, déi d'Effizienz an d'Zouverlässegkeet an der Hallefleitfabrikatioun maximéiert.
Eegeschafte vun rekristalliséierte Siliziumkarbid
Rekristalliséierte Siliziumkarbid (R-SiC) ass en héich performant Material mat enger Härtheet zweet nëmmen Diamant, wat bei enger héijer Temperatur iwwer 2000 ℃ geformt gëtt. Et behält vill excellent Eegeschafte vun SiC, wéi héich Temperatur Kraaft, staark corrosion Resistenz, excellent Oxidatioun Resistenz, gutt thermesch Schock Resistenz an sou op.
● Excellent mechanesch Eegeschaften. Rekristalliséiert Siliziumkarbid huet méi héich Kraaft a Steifheit wéi Kuelestofffaser, héich Impaktbeständegkeet, kann eng gutt Leeschtung an extremen Temperaturëmfeld spillen, kann eng besser Géigebalance Leeschtung a ville Situatiounen spillen. Zousätzlech huet et och gutt Flexibilitéit a gëtt net einfach duerch Stretching a Béie beschiedegt, wat seng Leeschtung staark verbessert.
● Héich corrosion Resistenz. Rekristalliséierte Siliziumkarbid huet eng héich Korrosiounsbeständegkeet fir verschidde Medien, kann d'Erosioun vu verschiddene korrosive Medien verhënneren, seng mechanesch Eegeschafte fir eng laang Zäit behalen, huet eng staark Adhäsioun, sou datt et e méi laang Liewensdauer huet. Zousätzlech huet et och gutt thermesch Stabilitéit, kann sech un eng gewëssen Temperaturverännerung upassen, seng Uwendungseffekt verbesseren.
● Sintering schrumpft net. Well de Sinterprozess net schrumpft, wäert kee Reschtstress Verformung oder Rëss vum Produkt verursaachen, an Deeler mat komplexe Formen an héich Präzisioun kënne virbereet ginn.
| 重结晶碳化硅物理特性 Physikalesch Eegeschafte vum Rekristalliséierte Siliziumkarbid | |
| 性质 / Immobilie | 典型数值 / Typesch Wäert |
| 使用温度/ Aarbechtstemperatur (°C) | 1600°C (mat Sauerstoff), 1700°C (reduzéierend Ëmfeld) |
| SiC含量/ SiC Inhalt | > 99,96% |
| 自由Si 含量/ Fräi Si Inhalt | < 0,1% |
| 体积密度/Bulk Dicht | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Scheinbar Porositéit | < 16% |
| 抗压强度/ Kompressioun Kraaft | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Kale Béie Kraaft | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Hot Béie Kraaft | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Thermesch Expansioun @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Wärmeleitung @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Elastesche Modul | 240 GPa |
| 抗热震性/ thermesch Schock Resistenz | Extrem gutt |
VET Energy ass denrealen Hiersteller vu personaliséierte Graphit a Siliziumkarbidprodukter mat CVD Beschichtung,liwweren kënnenverschiddepersonaliséiert Deeler fir Hallefleit- a Photovoltaikindustrie. OÄr technesch Equipe kënnt aus Top Gewalt Fuerschung Institutiounen, kann méi professionell Material Léisungen biddenfir dech.
Mir entwéckelen kontinuéierlech fortgeschratt Prozesser fir méi fortgeschratt Materialien ze bidden,anhunn eng exklusiv patentéiert Technologie ausgeschafft, déi d'Verbindung tëscht der Beschichtung an dem Substrat méi enk a manner ufälleg fir Ofdreiwung maache kann.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basis kierperlech Eegeschafte vun CVD SiCBeschichtung | |
| 性质 / Immobilie | 典型数值 / Typesch Wäert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β Phase多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / Dicht | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Hardness | 2500 维氏硬度（500g Belaaschtung） |
| 晶粒大小 / Grain Gréisst | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Chemesch Rengheet | 99,99995% |
| 热容 / Hëtzt Kapazitéit | 640 jkg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatioun Temperatur | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Kraaft | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt Béi, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermlKonduktivitéit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Thermal Expansioun (CTE) | 4,5x10-6K-1 |
Wëllkomm Iech häerzlech op eis Fabréck ze besichen, loosst eis weider Diskussioun hunn!
