Fourniture OEM China Excellent Sic Green Silicon Carbide fir Bonded Beschichtete

Kuerz Beschreiwung:

SiC Beschichtung vu Graphite Substrat fir Semiconductor Uwendungen produzéiert en Deel mat superieure Rengheet a Resistenz géint oxidéierend Atmosphär. CVD SiC oder CVI SiC gëtt op Graphite vun einfachen oder komplexen Designdeeler applizéiert. D'Beschichtung kann a verschiddene Dicken an op ganz grouss Deeler applizéiert ginn.


  • Plaz vun Urspronk:Zhejiang, China (Festland)
  • Model Number:Model Number:
  • Chemesch Zesummesetzung:SiC Beschichtete Grafit
  • Flexural Kraaft:470 MPa
  • Thermesch Konduktivitéit:300 W/mK
  • Qualitéit:Perfekt
  • Funktioun:CVD-SiC
  • Applikatioun:Semiconductor / Photovoltaik
  • Dicht:3,21 g/cc
  • Thermesch Expansioun:4 10-6/K
  • Äsche: <5 ppm
  • Beispill:Verfügbar
  • HS Code:6903100000
  • Produit Detailer

    Produit Tags

    Fir d'iwwererwaart Zefriddenheet vun de Clienten z'erreechen, hu mir eis robust Crew fir eis bescht allgemeng Ënnerstëtzung ze bidden, déi Marketing, Akommes, Erzéihung, Produktioun, exzellent Gestioun, Verpackung, Lagerung a Logistik enthält fir Versuergung OEM China Excellent Sic Green Silicon Carbide fir Bonded Coated Abrasives, Héich Qualitéit, rechtzäiteg Service an Aggressiv Taux, all verdéngen eis eng exzellent Ruhm am fortgeschratt Materialfeld trotz der internationaler intensiver Konkurrenz.

    Produit Beschreiwung

    Besonnesch Virdeeler vun eise SiC-beschichtete Grafit-Susceptoren enthalen extrem héich Rengheet, homogen Beschichtung an en exzellente Liewensdauer. Si hunn och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit Eegeschaften.

    SiC Beschichtung vu Graphite Substrat fir Semiconductor Uwendungen produzéiert en Deel mat superieure Rengheet a Resistenz géint oxidéierend Atmosphär.
    CVD SiC oder CVI SiC gëtt op Graphite vun einfachen oder komplexen Designdeeler applizéiert. D'Beschichtung kann a verschiddene Dicken an op ganz grouss Deeler applizéiert ginn.

    SiC Beschichtung / Beschichtete MOCVD Susceptor

    Fonctiounen:
    · Excellent thermesch Schock Resistenz
    · Excellent kierperlech Schock Resistenz
    · Excellent chemesch Resistenz
    · Super héich Rengheet
    · Disponibilitéit an komplex Form
    · Benotzbar ënner oxidéierend Atmosphär

    Applikatioun:

    2

     

    Typesch Eegeschafte vum Base Graphite Material:

    Scheinbar Dicht: 1,85 g/cm3
    Elektresch Resistenz: 11 μΩm
    Flexural Stäerkt: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Shore Hardness: 58
    Äsche: <5 ppm
    Thermesch Konduktivitéit: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Kuelestoff liwwert susceptors a GRAPHITE Komponente fir all aktuell epitaxy reactors. Eise Portfolio enthält Barrel susceptors fir applizéiert an LPE Eenheeten, pancake susceptors fir LPE, CSD, an Gemini Unitéiten, an Single-wafer susceptors fir applizéiert an ASM Unitéiten.By kombinéiert staark Partnerschafte mat féierende OEMs, Material Expertise a Fabrikatioun Know-How, VET bitt den optimalen Design fir Är Applikatioun.

     


  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!