Silicon SIC SchimmelSiliziumSSIC RBSIC Schimmel
Pressureless sintered Silicon Carbide (SSIC)gëtt produzéiert mat ganz feine SiC-Pulver mat Sinteringadditive.Et gëtt mat Formingsmethoden typesch fir aner Keramik veraarbecht a bei 2.000 bis 2.200 ° C an enger Inertgasatmosphär gesintert. Souwéi feinkorneg Versiounen, mat Korngréissten < 5 um, grofkorneg Versioune mat Korngréissten vu bis zu 1,5 mm disponibel sinn.
SSIC ënnerscheet sech duerch héich Kraaft, déi bal konstant bleift bis zu ganz héijen Temperaturen (ongeféier 1.600 ° C), déi dës Kraaft iwwer laang Perioden behalen!
Produit Virdeeler:
Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz
Excellent Corrosion Resistenz
Gutt Abrasion Resistenz
Héich Koeffizient vun der Wärmeleitung
Self-lubricity, niddereg Dicht
Héich hardness
Benotzerdefinéiert Design.
Technesch Eegeschaften:
Artikelen | Eenheet | Daten |
Hardness | HS | ≥110 |
Porositéit Taux | % | <0.3 |
Dicht | g/cm3 | 3.10-3.15 |
Kompressiv | MPa | > 2200 |
Fraktural Kraaft | MPa | >350 |
Expansiounskoeffizient | 10/°C | 4.0 |
Inhalt vun Sic | % | ≥99 |
Wärmeleitung | W/mk | >120 |
Elastesche Modul | GPa | ≥400 |
Temperatur | °C | 1380 |