SiC Beschichtung Graphit MOCVD Wafer Carriers， Graphite Susceptors for SiC Epitaxy

Kuerz Beschreiwung:

Plaz vun Urspronk:Zhejiang, China (Festland)

Model Number:Boot 3004

Chemesch Zesummesetzung:SiC Beschichtete Grafit

Flexural Stäerkt:470 MPa

Thermesch Konduktivitéit:300 W/mK

Qualitéit:Perfekt

Funktioun:CVD-SiC

Applikatioun:Semiconductor / Photovoltaik

Dicht:3,21 g/cc

Thermesch Expansioun:4 10-6/K

Äsche: <5 ppm

Beispill:Verfügbar

HS Code:6903100000

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

SiC Beschichtung Grafit MOCVD Wafer Carriers，Graphite Susceptorenfir SiC Epitaxy,
Kuelestoff liwwert susceptors, epitaxy susceptors, Graphite Susceptoren,

CVD-SiC Beschichtung huet d'Charakteristiken vun enger eenheetlecher Struktur, kompakt Material, héich Temperatur Resistenz, Oxidatioun Resistenz, héich Rengheet, Seier & Alkali Resistenz an organesch Reagens, mat stabil kierperlech a chemesch Eegeschaften.

Am Verglach mat héich-Rengheet GRAPHITE Materialien, GRAPHITE fänkt um 400C ze oxidize, déi e Verloscht vun Pudder wéinst Oxidatioun Ursaach wäert, Ëmweltverschmotzung zu Peripheriegeräter a Vakuum Chambers doraus, an Erhéijung Gëftstoffer vun héich-Rengheet Ëmwelt.

Wéi och ëmmer, SiC Beschichtung kann kierperlech a chemesch Stabilitéit bei 1600 Grad erhalen, Et gëtt wäit an der moderner Industrie benotzt, besonnesch an der Hallefleitindustrie.

Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SIC Schutzschicht bilden. De geformte SIC ass fest an d'Grafitbasis gebonnen, wat d'Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt, sou datt d'Uewerfläch vum Grafit kompakt ass, Porositéitfräi, Héichtemperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet an Oxidatiounsbeständegkeet.

Applikatioun:

Haaptfeatures:

1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:

d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1700 C ass.

2. Héich Rengheet: duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun gemaach.

3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.

4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.

Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtungen:

SiC-CVD
Dicht	(g/cc)	3.21
Flexural Kraaft	(Mpa)	470
Thermesch Expansioun	(10-6/K)	4
Wärmeleitung	(W/mK)	300

Fourniture Fäegkeet:

10000 Stéck / Stécker pro Mount
Verpakung & Liwwerung:
Verpackung: Standard a staark Verpackung
Poly Bag + Këscht + Kartong + Palette
Port:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Lead Time: