SiC Beschichtete Beschichtete vunGrafit Substrat fir Semiconductor, Siliziumkarbidbeschichtung,MOCVD Susceptor,
Graphite Substrat, Grafit Substrat fir Semiconductor, MOCVD Susceptor, Silicon Carbide Beschichtung,

Besonnesch Virdeeler vun eise SiC-beschichtete Grafit-Susceptoren enthalen extrem héich Rengheet, homogen Beschichtung an en exzellente Liewensdauer. Si hunn och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit Eegeschaften.

SiC Beschichtung vunGrafit Substrat fir SemiconductorApplikatiounen produzéiert en Deel mat super Rengheet a Resistenz géint oxidéierend Atmosphär.
CVD SiC oder CVI SiC gëtt op Graphite vun einfachen oder komplexen Designdeeler applizéiert. D'Beschichtung kann a verschiddene Dicken an op ganz grouss Deeler applizéiert ginn.

Fonctiounen:
· Excellent thermesch Schock Resistenz
· Excellent kierperlech Schock Resistenz
· Excellent chemesch Resistenz
· Super héich Rengheet
· Disponibilitéit an komplex Form
· Benotzbar ënner oxidéierend Atmosphär

Typesch Eegeschafte vum Base Graphite Material:

Kuelestoff liwwert susceptors a GRAPHITE Komponente fir all aktuell epitaxy reactors. Eise Portfolio enthält Barrel susceptors fir applizéiert an LPE Eenheeten, pancake susceptors fir LPE, CSD, an Gemini Unitéiten, an Single-wafer susceptors fir applizéiert an ASM Unitéiten.By kombinéiert staark Partnerschafte mat féierende OEMs, Material Expertise an Fabrikatioun Know-How, SGL bitt den optimalen Design fir Är Applikatioun.

Méi Produkter