Siliziumkarbid beschichtetGrafit Scheif ass fir Siliziumkarbid Schutzschicht op der Uewerfläch vum Grafit ze preparéieren duerch kierperlech oder chemesch Dampdepositioun a Sprayen. Déi preparéiert Siliziumkarbid-Schutzschicht kann fest un d'Grafitmatrix gebonnen ginn, sou datt d'Uewerfläch vun der Grafitbasis dicht a fräi vu Void mécht, wat d'Graphitmatrix speziell Eegeschafte gëtt, dorënner Oxidatiounsresistenz, Säure- an Alkalibeständegkeet, Erosiounsbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, etc. Am Moment, Gan Beschichtung ass ee vun de beschte Kär Komponente fir epitaxial Wuesstem vun Silicon Carbide.
Silicon Carbide Hallefleit ass d'Kärmaterial vum nei entwéckelte Breetband Spalt Halbleiter. Seng Apparater hunn d'Charakteristiken vun héich Temperatur Resistenz, héich Volt Resistenz, héich Frequenz, héich Muecht a Stralung Resistenz. Et huet d'Virdeeler vu schnelle Schaltgeschwindegkeet an héich Effizienz. Et kann de Stroumverbrauch vum Produkt staark reduzéieren, d'Energiekonversiounseffizienz verbesseren an de Produktvolumen reduzéieren. Et gëtt haaptsächlech an der 5g Kommunikatioun, der nationaler Verteidegung a Militärindustrie benotzt.
Silicon Carbide Substrat ass de Kär Material vun der nei entwéckelt breet Band Spalt Halbleiter. Silicon Carbide Substrat gëtt haaptsächlech an Mikrowellenelektronik, Kraaftelektronik an aner Felder benotzt. Et ass um viischten Enn vun der breet Band Spalt semiconductor Industrie Kette an ass de opzedeelen-Wäitschoss a Basis Kär Schlëssel Material. Silicon Carbide Substrat kann an zwou Zorte ënnerdeelt ginn: semi isoléierend an konduktiv. Ënnert hinnen, semi-isoléierend Siliziumkarbid-Substrat huet eng héich Resistivitéit (Resistivitéit ≥ 105 Ω· cm). Semi isoléierend Substrat kombinéiert mat heterogene Galliumnitrid Epitaxial Blat kann als Material vu RF-Geräter benotzt ginn, wat haaptsächlech an der 5g Kommunikatioun, der nationaler Verteidegung an der Militärindustrie an den uewe Szenen benotzt gëtt; Déi aner ass konduktiv Siliziumkarbidsubstrat mat gerénger Resistivitéit (d'Resistivitéitsberäich ass 15 ~ 30m Ω· cm). Déi homogen Epitaxie vum konduktiven Siliziumkarbidsubstrat a Siliziumkarbid kann als Material fir Kraaftapparater benotzt ginn. D'Haaptapplikatiounsszenarie sinn elektresch Gefierer, Kraaftsystemer an aner Felder
Post Zäit: Februar-21-2022