Silicon Carbide (SiC) ass en neit Compound Halbleitermaterial. Siliziumkarbid huet eng grouss Bandspalt (ongeféier 3 Mol Silizium), héich kritesch Feldstäerkt (ongeféier 10 Mol Silizium), héich thermesch Konduktivitéit (ongeféier 3 Mol Silizium). Et ass e wichtegt nächst Generatioun Hallefleitmaterial. SiC Beschichtungen gi wäit an der Hallefleitindustrie a Solar Photovoltaik benotzt. Besonnesch d'Susceptoren, déi am epitaxialen Wuesstum vun LEDs a Si Eenkristallepitaxie benotzt ginn, erfuerderen d'Benotzung vu SiC Beschichtung. Wéinst dem staarken Upward Trend vun LEDs an der Beliichtung an Affichage Industrie, an der kräfteg Entwécklung vun der semiconductor Industrie,SiC BeschichtungsproduktPerspektiven si ganz gutt.
APPLICATIOUN FIELD
Rengheet, SEM Struktur, Dicke Analyse vunSiC Beschichtung
D'Rengheet vu SiC Beschichtungen op Grafit andeems Dir CVD benotzt ass sou héich wéi 99,9995%. Seng Struktur ass fcc. D'SiC Filmer, déi op Grafit beschichtet sinn, sinn (111) orientéiert wéi an den XRD-Daten (Fig.1) gewisen, wat seng héich kristallin Qualitéit ugeet. D'Dicke vum SiC Film ass ganz eenheetlech wéi an der Fig.
Fig. 2: Dicke Uniform vu SiC Filmer SEM an XRD vu Beta-SiC Film op Grafit
SEM Daten vum CVD SiC dënnen Film, d'Kristallgréisst ass 2 ~ 1 Opm
D'Kristallstruktur vum CVD SiC Film ass eng Gesiichtszentréiert kubesch Struktur, an d'Filmwachstumsorientéierung ass no bei 100%
Siliziumkarbid (SiC) BeschichteteBasis ass déi bescht Basis fir Eenkristall Silizium a GaN Epitaxie, dat ass de Kärkomponent vum Epitaxuewen. D'Basis ass e Schlësselproduktiounsaccessoire fir monokristallin Silizium fir grouss integréiert Kreesleef. Et huet héich Rengheet, héich Temperatur Resistenz, corrosion Resistenz, gutt Loft tightness an aner excellent Material Charakteristiken.
Produit Uwendung a Gebrauch
Graphit Basisbeschichtung fir Eenkristall Silizium Epitaxial Wuesstum Gëeegent fir Aixtron Maschinnen, etc.
Post Zäit: Mar-14-2022