Niddregsten Präis fir China Héich Qualitéit Customized Graphite Heizung fir Polycrystalline Silicon Ingot Furnace

Kuerz Beschreiwung:

Rengheet < 5 ppm
‣ Gutt Dopinguniformitéit
‣ Héich Dicht an Adhäsioun
‣ Gutt anti-korrosiv a Kuelestoffresistenz

‣ Professionell Personnalisatioun
‣ Kuerz Zäit
‣ Stabil Versuergung
‣ Qualitéitskontroll a kontinuéierlech Verbesserung

Epitaxie vu GaN op Saphir(RGB / Mini / Mikro LED);Epitaxie vu GaN op Si Substrat(UVC);Epitaxie vu GaN op Si Substrat(Elektronesch Apparat);Epitaxie vu Si op Si Substrat(Integréiert Circuit);Epitaxie vu SiC op SiC Substrat(Substrat);Epitaxie vun InP op InP

Schéckt E-Mail un eis Download als PDF

Produit Detailer

Produit Tags

Mir fuere weider fir eis Léisungen a Service ze verbesseren an ze perfektionéieren. Zur selwechter Zäit operéiere mir aktiv Fuerschung an Verbesserung fir Niddregsten Präis fir China Héich Qualitéit Customized Graphite Heizung fir Polykristallin Silicon Ingot Furnace, Eis Entreprise ass séier a Gréisst a Popularitéit gewuess wéinst senger absoluter Engagement fir Topqualitéit Fabrikatioun, grousse Präis vun Produiten a fantastesch Client Provider.
Mir fuere weider fir eis Léisungen a Service ze verbesseren an ze perfektionéieren. Zur selwechter Zäit operéiere mir aktiv Fuerschung an Verbesserung firChina Graphite Heizung Uewen, Graphite thermesch Feld, Nëmme fir de gudde Qualitéitsprodukt z'erreechen fir dem Client seng Demande z'erreechen, all eis Produkter a Léisunge goufen strikt virum Versand iwwerpréift. Mir denken ëmmer un d'Fro op der Säit vun de Clienten, well Dir gewënnt, mir gewannen!

2022 héich Qualitéit MOCVD Susceptor Kaaft online a China

Scheinbar Dicht:	1,85 g/cm3
Elektresch Resistenz:	11 μΩm
Flexural Stäerkt:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Shore Hardness:	58
Äsche:	<5 ppm
Thermesch Konduktivitéit:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

E Wafer ass e Slice Silicium ongeféier 1 Millimeter déck, deen eng extrem flaach Uewerfläch huet dank Prozeduren déi technesch ganz usprochsvoll sinn. Déi spéider Notzung bestëmmt wéi eng Kristallwuesseprozedur soll agestallt ginn. Am Czochralski-Prozess, zum Beispill, gëtt de polykristalline Silizium geschmollt an e Bleistift-dënnen Somkristall gëtt an de geschmollte Silizium getippt. De Somkristall gëtt dann rotéiert a lues no uewen gezunn. E ganz schwéiere Koloss, e Monokristall, resultéiert. Et ass méiglech d'elektresch Charakteristiken vum Monokristall auswielen andeems se kleng Eenheeten vun héichreiniger Dotanten bäisetzen. D'Kristalle ginn am Aklang mat de Client Spezifikatioune dotéiert an duerno poléiert an a Scheiwen geschnidden. No verschiddenen zousätzleche Produktiounsschrëtt kritt de Client seng spezifizéiert Waferen an enger spezieller Verpackung, déi de Client erlaabt de Wafer direkt a senger Produktiounslinn ze benotzen.

E Wafer muss duerch e puer Schrëtt passéieren ier se prett ass fir an elektroneschen Apparater ze benotzen. Ee wichtege Prozess ass Silizium-Epitaxie, an där d'Waferen op Grafit-Susceptoren gedroe ginn. D'Eegeschafte an d'Qualitéit vun de Susceptoren hunn en entscheedende Effekt op d'Qualitéit vun der Epitaxialschicht vun der Wafer.

Fir dënn Filmdepositiounsphasen wéi Epitaxie oder MOCVD, liwwert VET ultra-pure Grafitausrüstung déi benotzt gëtt fir Substrate oder "Waferen" z'ënnerstëtzen. Am Kär vum Prozess ginn dës Ausrüstung, Epitaxisusceptoren oder Satelliteplattforme fir de MOCVD fir d'éischt dem Oflagerungsëmfeld ënnerworf:

Héich Temperatur.
Héich Vakuum.
Benotzung vun aggressive gasforme Virgänger.
Null Kontaminatioun, Feele vu Peeling.
Resistenz géint staark Saieren während Botzen Operatiounen