VET Energy benotzt ultra-héich RengheetSiliciumcarbid (SiC)duerch chemesch Dampdepositioun geformt(CVD)als Quellmaterial fir ze wuessenSiC Kristalleduerch kierperlechen Damptransport (PVT). Am PVT gëtt d'Quellmaterial an eng geluedenKrëppa subliméiert op e Somkristall.
Eng héich Rengheet Quell ass néideg fir héich Qualitéit ze fabrizéierenSiC Kristalle.
VET Energy spezialiséiert sech fir grouss Partikel SiC fir PVT ze liwweren, well et eng méi héich Dicht huet wéi kleng Partikelmaterial geformt duerch spontan Verbrennung vu Si a C-haltege Gase. Am Géigesaz zu der Festphase Sintering oder der Reaktioun vu Si a C, erfuerdert et keen dedizéierten Sinterofen oder e Zäitopwendende Sinterstuf an engem Wuesstumsofen. Dëst grousst Partikelmaterial huet eng bal konstant Verdampfungsquote, wat d'Run-to-Run Uniformitéit verbessert.
Aféierung:
1. CVD-SiC Blockquelle virbereeden: Als éischt musst Dir eng qualitativ héichwäerteg CVD-SiC Blockquell virbereeden, déi normalerweis vu héijer Rengheet an héich Dicht ass. Dëst kann duerch chemesch Dampdepositioun (CVD) Method ënner passenden Reaktiounsbedéngungen virbereet ginn.
2. Substratpräparatioun: Wielt e passende Substrat als Substrat fir SiC Eenkristallwachstum. Allgemeng benotzt Substratmaterialien enthalen Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, etc., déi e gudde Match mat dem wuessende SiC Eenkristall hunn.
3. Heizung a Sublimatioun: Plaz d'CVD-SiC Blockquell a Substrat an engem Héichtemperaturofen a stellt entspriechend Sublimatiounsbedéngungen. Sublimatioun bedeit datt bei héijer Temperatur d'Blockquell direkt vu festen an Dampzoustand ännert, an dann nees op der Substratoberfläche kondenséiert fir en eenzege Kristall ze bilden.
4. Temperaturkontrolle: Während dem Sublimatiounsprozess muss d'Temperaturgradient an d'Temperaturverdeelung präzis kontrolléiert ginn fir d'Sublimatioun vun der Blockquell an de Wuesstum vun eenzel Kristalle ze förderen. Entspriechend Temperaturkontroll kann ideal Kristallqualitéit a Wuesstumsrate erreechen.
5. Atmosphär Kontroll: Während dem Sublimatiounsprozess muss d'Reaktiounsatmosphär och kontrolléiert ginn. Héichreinig Inertgas (wéi Argon) gëtt normalerweis als Trägergas benotzt fir entspriechend Drock a Rengheet z'erhalen an Kontaminatioun duerch Gëftstoffer ze vermeiden.
6. Eenkristallwachstum: D'CVD-SiC-Blockquell mécht e Dampphase-Iwwergank während dem Sublimatiounsprozess a rekondenséiert op der Substratoberfläche fir eng eenzeg Kristallstruktur ze bilden. Schnell Wuesstum vu SiC Eenkristallen kann duerch entspriechend Sublimatiounsbedéngungen an Temperaturgradientkontroll erreecht ginn.
Wëllkomm Iech häerzlech op eis Fabréck ze besichen, loosst eis weider Diskussioun hunn!
