Epitaxial Epi Graphite Faass Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Faass Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Faass Susceptorass e speziell entworf Ënnerstëtzung an Heizung Apparat benotzt fir Halbleitersubstrater während Fabrikatiounsprozesser wéi Deposition oder Epitaxy Prozesser ze halen an z'erhëtzen.

Seng Struktur enthält typesch zylindresch oder liicht barrelfërmeg, Uewerfläch huet verschidde Taschen oder Plattforme fir d'Waferen ze placéieren, kann zolidd oder huel Design sinn, ofhängeg vun der Heizmethod.

D'Haaptfunktioune vum epitaxialen Fasssusceptor:

-Substrat Ënnerstëtzung: hält sécher Multiple Halbleiterwafer;
-Hëtzt Quell: stellt héich Temperaturen néideg fir Wuesstem duerch Heizung;
-Temperatureuniformitéit: garantéiert eenheetlech Heizung vu Substrate;
-Rotatioun: rotéiert normalerweis wärend dem Wuesstum fir d'Temperatur an d'Gasverdeelungsuniformitéit ze verbesseren.

Aarbechtsprinzip vum Epi graphite barrel susceptor:
- Am Epitaxialreaktor gëtt de Fasssusceptor op déi erfuerderlech Temperatur erhëtzt (typesch 1000 ℃ -1200 ℃ fir Silizium-Epitaxie);
-The barrel susceptor rotéiert eenheetlech Temperatur Verdeelung a Gas Flux ze garantéieren;
-Reaktiounsgase zersetzen bei héijen Temperaturen, bilden epitaxial Schichten op der Substratfläch.

Uwendungen:
- Haaptsächlech fir Silizium epitaxial Wuesstum benotzt
-Och applicabel fir Epitaxie vun aneren Hallefleitmaterialien wéi GaAs, InP, etc.

VET Energy benotzt héich Rengheet Grafit mat CVD-SiC Beschichtung fir d'chemesch Stabilitéit ze verbesseren:

D'Virdeeler vum VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

- Héich Temperatur Stabilitéit;
- Gutt thermesch Uniformitéit;
-Kann verschidde Substrate gläichzäiteg veraarbechten, d'Produktiounseffizienz verbesseren;
-Chemesch Inert, behalen vun engem héich Reng Wuesstem Ëmfeld.