Gutt Grousshandel Verkeefer China Abrasive Poléieren a Sandblasen Silicon Carbide Nano Sic mat gudder thermescher Konduktivitéit

Kuerz Beschreiwung:


  • Plaz vun Urspronk:China
  • Kristall Struktur:FCCβ Phase
  • Densitéit:3,21 g/cm;
  • Hardness:2500 Vickers;
  • Grain Gréisst:2~10μm;
  • Chemesch Rengheet:99,99995%;
  • Hëtzt Kapazitéit:640J · kg-1 · K-1;
  • Sublimatiounstemperatur:2700 ℃;
  • Felexural Kraaft:415 Mpa (RT 4-Punkt);
  • Young's Modulus:430 Gpa (4pt Béi, 1300 ℃);
  • Thermesch Expansioun (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Thermesch Konduktivitéit:300 (W/MK);
  • Produit Detailer

    Produit Tags

    Mat eiser grousser Gestioun, potenter technescher Kapazitéit a strikter exzellenter Handleprozedur, fuere mir weider fir eise Clienten unerkannt Topqualitéit, raisonnabel Verkafspräisser a super Ubidder ze bidden. Mir zielen ënnert Äre meeschte vertrauenswürdege Partner ze ginn an Är Zefriddenheet fir Good Wholesale Vendors China Abrasive Polishing and Sandblasting Silicon Carbide Nano ze verdéngenSicmat Good Thermal Conductivity, Eist ultimativt Zil ass ëmmer als Top Mark ze klasséieren an och als Pionéier an eisem Feld ze féieren. Mir si sécher datt eis produktiv Erfarung an der Schafung vun Tools dem Client säi Vertrauen kritt, Wënsch ze kooperéieren a mat Iech en nach besser laangfristeg ze kreéieren!
    Mat eiser grousser Gestioun, potenter technescher Kapazitéit a strikter exzellenter Handleprozedur, fuere mir weider fir eise Clienten unerkannt Topqualitéit, raisonnabel Verkafspräisser a super Ubidder ze bidden. Mir Zil ënnert Äre meeschte vertrauenswürdege Partner ze ginn an Är Zefriddenheet fir ze verdéngenChina Silicon Carbide, Sic, Eist Zil ass "fir éischte Schrëtt Produkter a Léisungen a beschte Service fir eis Clienten ze liwweren, dofir si mir sécher datt Dir e Marginvirdeel muss hunn duerch mat eis ze kooperéieren". Wann Dir un engem vun eise Wueren interesséiert sidd oder gären iwwer eng personaliséiert Bestellung diskutéiere wëllt, da kontaktéiert eis w.e.g. Mir freeën eis fir erfollegräich Geschäftsverhältnisser mat neie Clienten ronderëm d'Welt an der nächster Zukunft ze bilden.
    Produit Beschreiwung

    Eis Firma liwwert SiC Beschichtungsprozessservicer duerch CVD Method op der Uewerfläch vu Grafit, Keramik an aner Materialien, sou datt speziell Gase mat Kuelestoff a Silizium bei héijer Temperatur reagéiere fir héich Rengheet SiC Moleküle ze kréien, Molekülen déi op der Uewerfläch vun de Beschichtete Materialien deposéiert sinn, SIC Schutzschicht bilden.

    Haaptfeatures:

    1. Héich Temperatur Oxidatioun Resistenz:

    d'Oxidatiounsresistenz ass nach ëmmer ganz gutt wann d'Temperatur sou héich wéi 1600 C ass.

    2. Héich Rengheet: gemaach duerch chemesch Dampdepositioun ënner héijer Temperatur Chloréierungskonditioun.

    3. Erosiounsbeständegkeet: héich härt, kompakt Uewerfläch, fein Partikel.

    4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenz.

    Main Spezifikatioune vun CVD-SIC Beschichtung

    SiC-CVD Properties

    Kristallstruktur FCC β Phase
    Dicht g/cm³ 3.21
    Hardness Vickers Hardness 2500
    Grain Gréisst μm 2~10
    Chemesch Rengheet % 99,99995
    Hëtzt Kapazitéit J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimatioun Temperatur 2700
    Felexural Kraaft MPa (RT 4-Punkt) 415
    Young's Modulus Gpa (4pt Béi, 1300 ℃) 430
    Thermal Expansioun (CTE) 10-6K-1 4.5
    Wärmeleitung (W/mK) 300

    1 2 3 4 5


  • virdrun:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!