Pii Carbide (SiC) Epitaxial Wafer

Brevis descriptio:

Silicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafer de VET Energy substrata est summus perficientur destinatus ad postulandas necessitates potentiae generationis et RF machinas. VET Energy efficit ut unumquodque laganum epitaxiale adamussim conficiatur ut praestantior conductivity scelerisque, naufragii voltage, et mobilitatis carietur, ut id specimen applicationibus vehiculis electricis, 5G communicationis, ac potentiae electronicarum altum efficiat.

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

VET Energy pii carbide (SiC) laganum epitaxiale est summus effectus bandgap lata semiconductor materia magna cum resistentia caliditas excellentissima, magna frequentia et indoles virtutis altae. Idealis subiecta est pro nova potentiae generatione electronicis cogitationibus. VET Energy technologiae epitaxialis provectae MOCVD ad qualitatem SiC epitaxialem stratis SiC subiectae crescentibus utitur, praestantem effectum et constantiam lagani procurans.

Noster Silicon Carbide (SiC) Wafer epitaxialem optimam convenientiam praebet cum variis materiis semiconductoribus inclusis Si Wafer, SiC Substratum, SOI Wafer et SiN Substratum. Cum epitaxiali robusto iacuit, processuum progressuum sustinet ut Epi Wafer incrementum et integrationem cum materiis sicut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer, versatilem usum per diversas technologias procurans. Designatum esse compatible cum industria-vexillaribus Cassette tractandis systematibus, efficientes et turpis operationes efficit in ambitus fabricationis semiconductoris.

VET Energy productum linea non limitatur ad lagana SiC epitaxial. Praebuimus etiam amplis materiae semiconductoris subiectae, incluso Si Wafer, SiC Substratae, SOI Wafer, SiN Substratae, Epi Wafer, etc. Addimus etiam activo modo enucleare novas materias latas bandgap semiconductores, ut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN. Wafer, ut obviam futurae virtutis electronicae industriae postulatum altioribus inceptis perficiendis.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arcum (GF3YFCD) -Absolute Value	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Azymum Edge	Beveling

AEQUOR TERMINUS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Superficiem Conclusio	Duplex latus Poloniae Optical, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Ora Chips	Nulla permittitur (longitudo et width≥0.5mm)
Indents	nemo licet
Scalpit (Si-Fac)	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri			Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri
Cracks	nemo licet
Ore exclusio	3mm