Silicon Carbide Coated Graphite Substratum pro Semiconductor, MOCVD Susceptor

Brevis descriptio:

VET Energy SiC Coated Susceptor est summus perficientur producto constitutum est providere constantem et certam observantiam per tempus protractum. Eximius bonus calor resistentiam habet et uniformitatem scelerisque, puritatem altam, exesum resistentiam, et perfectam solutionem lagani applicationis processus faciens.

Originis loco:Zhejiang, China (Mainland)

Exemplar Number:Exemplar Number:

Compositio chemica:SiC graphite iactaret

Vires flexiles:470Mpa

Scelerisque conductivity:300 W/mK

Qualitas:Perfectum

Munus:CVD-SiC

Applicatio:Semiconductor /Photovoltaic

Densitas:3.21 g/cc

Scelerisque dilatatio:4 10-6/K

Cineres: <5ppm

Sample:Avaliable

HS Codicis;6903100000

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

VET Energy Sic Coated Susceptorsummus perficientur solutio adamussim fabricatus est ad certas tradendas, congruenter peractionem per vitae spatium extensas, occurrens severioribus exigentiis semiconductoris fabricandi. Eximii caloris resistentia, superior thermarum uniformitas, et puritas alta, hoc productum est specimen laganum MOCVD laganum et alia lagana processus applicationes ad stabilitatem et praecisionem requirentes. Eius resistentia robusta exesa efficit ut premium electionis in ambitibus ubi durabilitas et mollitia chemica essentialia sunt.

nostrumSiC Coated Graphite Susceptorstat critica pars in processu vestibulum semiconductoris, VET Energy technologiam patentem exclusivam levans ad altam puritatem, superior vestiens uniformitatem, et insignis scelerisque stabilitas. Litura graphitam subiectam auget cum magna resistentia chemica et servitii vitae signanter extenso. VET Energia dedicatio qualitatis consecuta est in susceptore SiC iactato, quod obviat evolventibus necessitatibus lagani cursorii fori graphitici, vexillum altum ponens pro susceptoribus graphitis SiC iactandis in usuMOCVD processuum.

Key Features of Sic Coated Susceptores:

1. summus Temperatus resistentia Oxidation:Temperatura usque ad 1700 resistunt, idoneam ad extremas processus condiciones conficientes.

2. High puritas et scelerisque uniformitas:Ensures constantes eventus, vitales forMOCVD susceptoreset alia diligentia adhibita.

3. Corrosio Repugnantia praeclara:Mollis acidi, alcali, salis, et variis regentibus organicis.

4. Superficiem Consectetur duritia:Superficies pacti cum particulis subtilibus quae altiorem diuturnitatem et longitudinem praebent.

5. Fundo Service Vita:Machinator pro sustentatione effectus, vexillum pii carbide bituminatum susceptores in ambitus processus asperos formans.

Ut opificem, VET Energy speciale in graphite nativus etPii carbide productscum variis efficiens optiones, comprehendoSic coating, TaC coating, vitreis carbonis coatingac carbonis pyrolytici coatingit. Superbe servimus semiconductori et industriae photovoltaicae, tradens carbidam pii susceptores graphitos obductis occurrentibus postulatis specificis operationalibus.

Nostra turma technica, cum experientia e summis institutionum investigationum domesticarum, dedicata est ad solutiones materiales promovendas pro evolutionis necessitatibus.Sic iactaret graphite susceptornundinae. Per processum nostrum patented, VET Energia technologiam unicam evolvit, quae significanter melioris vinculum virium inter carbidam tunicam et substratam, minuendo periculum elongationis et diuturnum firmitatis augendae.

Applications et Commoda in Semiconductor Processing

TheSic membranae pro MOCVDdatgraphite susceptorpartes ad integritatem conservandam sub ambitibus summus temperatus et corrosivus, quod ad praecisionem semiconductoris productionis vitalis est. Hae partes graphitae SiC iactatae praecipue aestimantur in processibus, quae requirunt susceptores Pii carbide iactaret.graphite laganum carriersquae altam postulant scelerisque stabilitatem, puritatem, resistentiam ad exesionem chemicam.

Cum technicis carbide provectioris siliconis efficiens, VET Energia pergit ad laganum laganum vehiculi supportandum, tradendo nativus, summus effectus.Sic iactaret graphite susceptoresInscriptio provocationum specialium industriarum, a MOCVD processibus ad altam puritatem applicationis in campo semiconductoris.