XII unciae Silicon Wafer pro semiconductore Fabricationis ab VET Energy oblato machinatum est occurrere signa praecisa quae in industria semiconductor requiruntur. Ut unus e primoribus productis in nostro lineo, VET Energy efficit ut lagana haec lagana cum planiditate, puritate, et superficiei qualitate exacta nascantur, easque aptas facit ad extremas applicationes semiconductores, in microchips, sensoriis, et electronicarum machinarum provectis.
Hoc laganum cum amplis materiis comparatur ut Si Wafer, SiC Substratum, SOI Wafer, SiN Substratum, et Epi Wafer, praestantem mobilitatem variis processibus fabricandi praebens. Accedit bene technologiae provectae sicut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer, in tuto ut in applicationes maxime speciales integrari possit. Pro lenis operatione, laganum optimized ad usum systematis industriae-ressette, procurans tractationem efficientis in fabricandis semiconductoribus.
VET Energy productum linea non limitatur ad lagana Pii. Amplis etiam praebemus materias subiectas semiconductores, inclusas SiC Substratum, SOI Wafer, SiN Substratum, Epi Wafer, etc., necnon novas fasciculos semiconductores latioris materiae sicut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer. Hae productorum applicationes occurrere possunt variis clientibus in potentia electronicorum, frequentia radiophonica, sensoriis et aliis campis.
Area application:
•Dialectica xxxiii:Vestibulum summus faciendis ratio eu ut CPU et GPU.
•Memoria xxxiii:Vestibulum memoriae eu ut DRAM et NAND Flash.
•Analoga xxxiii:Vestibulum eu analogiae ut ADC et DAC.
•Sensores:MEMS SENSORIA, Imago sensoriis, etc.
VET Energy praebet clientes cum solutionibus lagani customised, et lagana mos potest cum diversis resistivity, diversis oxygeni contentis, diversas crassitudines et alias specificationes secundum specificas necessitates clientium. Insuper etiam technicis subsidia professionalibus praebemus ac post-sales ministerium adiuvandi clientes optimize processuum productionis et melioris fructus cede.
WAFERING SPECIFICATIONS
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating
| Item | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arcum (GF3YFCD) -Absolute Value | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Azymum Edge | Beveling | ||||
AEQUOR TERMINUS
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating
| Item | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Superficiem Conclusio | Duplex latus Poloniae Optical, Si- Face CMP | ||||
| SurfaceRoughness | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Ora Chips | Nulla permittitur (longitudo et width≥0.5mm) | ||||
| Indents | nemo licet | ||||
| Scalpit (Si-Fac) | Qty.≤5, Cumulativo | Qty.≤5, Cumulativo | Qty.≤5, Cumulativo | ||
| Cracks | nemo licet | ||||
| Ore exclusio | 3mm | ||||
