VI Inch P Type Silicon Wafer

6 Inch P Type Silicon laganum Featured Image

Brevis descriptio:

VET Energy 6 pollicis P-typus laganum pii laganum semiconductoris materialis basi summus est, late in variarum electronicarum fabricarum machinis usus. VET Energy utitur processu incrementi CZ progresso ut laganum optimam habeat qualitatem crystalli, defectus densitatis humilis et uniformitatem altam.

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

VET Energy productum linea non limitatur ad lagana Pii. Amplis etiam praebemus materias subiectas semiconductores, inclusas SiC Substratum, SOI Wafer, SiN Substratum, Epi Wafer, etc., necnon novas fasciculos semiconductores latioris materiae sicut Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer. Hae productorum applicationes occurrere possunt variis clientibus in potentia electronicorum, frequentia radiophonica, sensoriis et aliis campis.

Applicationem agrorum;
•Integrated circuitus:Sicut materia fundamentalis ad integrationem circuli fabricandi, P-laganum genus pii laganum late in variis circulis logicis, memoriis, etc.
•Cogitationes virtutis;P-laganum genus pii laganae adhiberi possunt ad machinas faciendas ut potentia transistores et diodes.
•Sensores:P-lagana pii generis adhiberi possunt ad varias sensoriis species, ut pressura sensoriis, sensoriis temperatus, etc.
•Cellae solares;lagana Pii P-type magni ponderis sunt cellularum solarium componentium.

VET Energy praebet clientes cum solutionibus lagani customised, et lagana mos potest cum diversis resistivity, diversis oxygeni contentis, alia crassitudine et aliis specificationibus secundum specificas necessitates clientium. Insuper etiam technicae artis auxilium praebemus et post-venditionem servitii subsidii clientibus varias quaestiones solvendas quae in processu productionis occurrunt.

WAFERING SPECIFICATIONS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arcum (GF3YFCD) -Absolute Value	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Azymum Edge	Beveling

AEQUOR TERMINUS

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating

Item	8-Inch	6-Inch			4-Inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Superficiem Conclusio	Duplex latus Poloniae Optical, Si- Face CMP
SurfaceRoughness	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Ora Chips	Nulla permittitur (longitudo et width≥0.5mm)
Indents	nemo licet
Scalpit (Si-Fac)	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri	Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri			Qty.≤5, Cumulativo Longitudo lagana diametri
Cracks	nemo licet
Ore exclusio	3mm