SiC Coated Graphite Base Carriers

SiC Coated Graphite Base Portitores Featured Image

Brevis descriptio:

VET Energy SiC tabellarius graphite elaboratus est summus perficientur producto destinatus ut constans et certa observantia per tempus protractum praeberet. Eximius bonus calor resistentiam habet et uniformitatem scelerisque, puritatem altam, exesum resistentiam, et perfectam solutionem lagani applicationis processus faciens.

Locus Origin:China

Crystal Structure :FCCβ phase

Densitas :3.21 g/cm

Duritia :MMD Vickers

Magnitudo frumenti:2~10μm

Puritas chemica:99.99995%

Calor Capacitas:640J·kg-1·K-1

Sublimatio Temperature :2700℃

Fortitudo Felexuralis:415 Mpa (RT 4-Point)

Modulus :430 Gpa (4pt bend, 1300℃).

Scelerisque Expansion (CTE)4.5 10-6K-1

Scelerisque conductivity:300（W/MK）

Mitte ad nos inscriptio Download as PDF

Product Detail

Product Tags

SiC tabellarius graphite obductis est componentia clavis adhibita in variis processibus semiconductoribus fabricandis. Technologia nostra patentata utimur ad tabellarium pii carbidum cum summa puritate, bono vestiendi uniformitate ac optimam vitam serviendi, necnon altae chemicae resistentiae et possessiones scelerisque stabilitas.

Lineamenta nostra producta:

1. Princeps oxidationis resistentiae temperatus usque ad 1700℃.
2. High puritas ac scelerisque uniformitatem
3. Praeclara corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
4. Alta duritia, superficies compacta, particulae tenuis.
5. Longior vita servitus, et magis durabilis

CVD SiC薄膜基本物理性能 Basic physicae CVD SiCcoating
性质 / Property	典型数值 / Valorem Typicam
晶体结构 / Crystal Structure	FCC β phase.111）取向
密度 / Density	3.21 g/cm³
硬度 / Duritia	MMD -500g onus
晶粒大小 / Frumentum	2~10μm
纯度 / Puritas chemica	99.99995%
热容 / Calor Capacitas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimatio Temperature	2700℃
抗弯强度 / Flexural Fortitudo	415 MPa RT 4-punctum
杨氏模量 / Modulus iuvenum	430 Gpa 4pt bend, 1300℃
导热系数 / ThermalConductivity	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Scelerisque Expansion(CTE)	4.5×10^-6K^-1

VET Energy est realis fabrica graphitae nativus et carbidi siliconis productorum cum diversis coatingiis sicut SiC tunica, TaC tunica, carbonis tunica vitrea, carbonis pyrolytica tunica, etc., varias partes nativus pro semiconductore et industria photovoltaicae supplere potest.

Nostra technica turma e supremo institutionum domesticarum investigationum venit, solutiones tibi magis professionales materiales praebere potest.

Processus progressus continenter enucleamus ut materiae graviores praebeant et technologiam patentem exclusivam elaboraverint, quae vinculum inter tunicam et subiectum arctius et minus proclivior ad detractionem facere potest.

Vehementer te salvete ut officinas nostras visitetis, disputationem porro habeamus!