SiC Coated Graphite Halfmoon Partis a clavemcomponentia adhibita in processibus semiconductoribus fabricandis, praesertim instrumento epitaxiali SiC.Utimur nostris patented technology ad dimidiam partem cumsumma pudicitia;bonumcoatinguniformitaset optimum ministerium vitaeutalta chemica resistentia et possessiones scelerisque stabilitas.
VET Energy est therealis fabrica graphitis nativus et carbida siliconis producta cum CVD coating;potest supplerevariisnativus partium semiconductoris et industriae photovoltaicae. Our technica turma e summo domesticae investigationis instituta, solutiones materiales magis professionales praebere potesttibi.
Processus provectos continue enucleamus ad materiae graviores praebendas;ettechnologiam patentem exclusivam elaboraverunt, quae compagem efficere potest inter tunicam et subiectam arctius et minus facile ad detractionem.
Ffructus nostri eatures:
1. Princeps caliditas oxidationis resistentia usque ad 1700℃.
2. High puritas etscelerisque uniformitatem
3. Praeclara corrosio resistentiae: acidum, alcali, salis et reagentia organica.
4. Alta duritia, superficies compacta, particulae tenuis.
5. Longior vita servitus, et magis durabilis
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Basic physicae CVD SiCcoating | |
| 性质 / Property | 典型数值 / Valorem Typicam |
| 晶体结构 / Crystal Structure | FCC β phase.111）取向 |
| 密度 / Density | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Duritia | MMD -500g onus |
| 晶粒大小 / Frumentum | 2~10μm |
| 纯度 / Puritas chemica | 99.99995% |
| 热容 / Calor Capacitas | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimatio Temperature | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Fortitudo | 415 MPa RT 4-punctum |
| 杨氏模量 / Modulus iuvenum | 430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Scelerisque Expansion(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Vehementer te salvete ut officinas nostras visitetis, disputationem porro habeamus!
