Navicula lagana Silicon carbida est lagana onusta fabrica, maxime in processibus diffusionibus solaris et semiconductoris adhibitis. Notas habet qualia sunt resistentia, corrosio resistentia, summus temperatura impetus resistentiae, resistentia ad plasma bombardarum, caliditas gerens facultatem, altum conductivity scelerisque, calor dissipationis summus, et diuturnum usum non facile flectere et deformare. Societas nostra alta puritate carbidi pii materiam adhibet ad vitam praestandam et consilia nativus praebet, inter varias naviculas verticales et horizontales laganum.
Materia Datasheet
| 材料Materia | R-SiC |
| 使用温度Temperatus operandi (°C) | MDC°C (氧化气氛Oxidizing environment) MDCC°C (还原气氛Reducing environment) |
| SiC含量SiC content (%) | > 99 |
| 自由Si Free Si contentus (%) | < 0.1 |
| 体积密度Mole densitatis (g/cm3) | 2.60-2.70 |
| 气孔率Apparens porositas (%) | < 16 |
| 抗压强度Robora comminuendi (MPa) | > 600 |
| 常温抗弯强度Frigus inflexio virium (MPa) | 80-90 (20°C) |
| 高温抗弯强度Inflexio caloris vires (MPa) | 90-100 (1400°C) |
| 热膨胀系数 Scelerisque expansio coefficiens @ MD°C (10-6/°C) | 4.70 |
| 导热系数Scelerisque conductivity @1200°C (W/m•K) | 23 |
| 杨氏模量Modulus elasticus (GPa) | 240 |
| 抗热震性Scelerisque inpulsa resistentia | 很好perquam bonum |
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltdsummus technicus inceptis positus est ad productionem et venditiones summi finis materiae provectae, materiae et technicae artiscomprehendographite, pii carbide, ceramici, superficiei curatio et cetera. Producta late adhibentur in photovoltaico, semiconductore, nova energia, metallurgia, etc.
Nostra turma technica e summis institutionibus investigatio domestica venit, solutiones materiales magis professionales praebere potesttibi.
Vehementer te salvete ut officinas nostras visitetis, disputationem porro habeamus!
